| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·电子元器件的发展与展望 | 第7-10页 |
| ·电子技术与元器件的发展史 | 第7-8页 |
| ·电子元器件未来发展展望 | 第8-10页 |
| ·介质滤波器 | 第10-13页 |
| ·介质滤波器的基本原理及设计方法 | 第10-11页 |
| ·介质滤波器的分类及实现 | 第11-13页 |
| ·介质天线 | 第13-15页 |
| 第二章 介质结构与实验系统的选择 | 第15-22页 |
| ·陶瓷与晶体 | 第15-16页 |
| ·陶瓷的分子结构 | 第16-19页 |
| ·Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3 微观结构 | 第19-20页 |
| ·课题研究的内容及意义 | 第20-22页 |
| 第三章 实验研究 | 第22-29页 |
| ·实验工艺流程 | 第22-25页 |
| ·配料 | 第23页 |
| ·一次球磨 | 第23页 |
| ·预烧熔块 | 第23页 |
| ·二次球磨 | 第23页 |
| ·炒蜡与过筛 | 第23-24页 |
| ·成型 | 第24页 |
| ·烧结成瓷 | 第24-25页 |
| ·被银、烧银、焊引线 | 第25页 |
| ·样品测试 | 第25-29页 |
| ·测试仪器 | 第25-26页 |
| ·高频介电性能测定 | 第26-27页 |
| ·微波介电性能测试 | 第27页 |
| ·样品的微观分析 | 第27-29页 |
| 第四章 Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3系统的低温烧结 | 第29-43页 |
| ·(1-x)Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3-xBaSnO_3 陶瓷材料的性能分析 | 第30-34页 |
| ·微观结构——X射线衍射(XRD)分析 | 第30-31页 |
| ·添加BaSnO_3 对系统介电常数ε_r 的影响 | 第31-32页 |
| ·添加BaSnO_3 对系统损耗（Q值）的影响 | 第32-34页 |
| ·添加Bi_2O_3 玻璃实现系统低温烧结. | 第34-42页 |
| ·低温共烧的方式 | 第34页 |
| ·不同含量Bi_2O_3 玻璃对系统介电性能的影响 | 第34-37页 |
| ·电子扫描电镜(SEM)分析 | 第37-38页 |
| ·不同保温时间对系统介电性能的影响 | 第38-40页 |
| ·不同烧结温度对系统介电性能的影响 | 第40-42页 |
| ·结论 | 第42-43页 |
| 第五章 (1-x)Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3-xBaSnO_3系统添加其他玻璃研究 | 第43-52页 |
| ·(1-x)Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3-xBaSnO_3 系统添加ZnO玻璃介电性能研究 | 第44-48页 |
| ·系统介电性能的分析 | 第44-46页 |
| ·添加ZnO玻璃的(1-x)Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3-xBaSnO_3系统介电性能分析 | 第46-48页 |
| ·添加ZnO玻璃的(1-x)Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3-xBaSnO_3系统改进研究 | 第48-52页 |
| 第六章 总结 | 第52-54页 |
| ·(1-x)Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3-xBaSnO_3 的结构和介电性能 | 第52页 |
| ·添加Bi_2O_3 玻璃 | 第52-53页 |
| ·添加ZnO玻璃及改进研究 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 参加科研情况说明 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
