| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 1 引言 | 第11-15页 |
| ·研究背景 | 第11-12页 |
| ·光敏场效应晶体管的发展概况和应用前景 | 第12-14页 |
| ·光敏场效应晶体管的发展概况 | 第12-13页 |
| ·光敏场效应晶体管的应用前景 | 第13-14页 |
| ·光敏场效应晶体管中存在的问题和发展趋势 | 第14页 |
| ·本文主要的工作 | 第14-15页 |
| 2 有机光敏场效应晶体管的工作机理、制作及表征 | 第15-27页 |
| ·有机光敏场效应晶体管的结构和工作原理 | 第15-17页 |
| ·传统构型PhotOFETs及其工作原理 | 第15-16页 |
| ·垂直构型PhotOFETs及其工作原理 | 第16-17页 |
| ·有机光敏场效应晶体管的材料 | 第17-22页 |
| ·有机光敏半导体层 | 第17-20页 |
| ·栅绝缘层 | 第20-21页 |
| ·电极 | 第21-22页 |
| ·有机光敏场效应晶体管的制备技术及性能测试 | 第22-27页 |
| ·器件的制备 | 第22-24页 |
| ·器件性能的测试 | 第24-27页 |
| 3 LiF介电层的垂直PhotOFETs的研究 | 第27-37页 |
| ·并五苯薄膜的制备与光敏特性测试 | 第27-31页 |
| ·并五苯薄膜的制备与表征 | 第27-29页 |
| ·并五苯薄膜的光敏特性测试 | 第29-31页 |
| ·LiF为介电层的垂直PhotOFETs | 第31-36页 |
| ·LiF介电层的研究 | 第31页 |
| ·LiF为介电层的PhotOFETs器件的性能 | 第31-33页 |
| ·V_2O_5修饰源极对器件性能的影响 | 第33-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 4 有机介电层的垂直PhotOFETs的研究 | 第37-46页 |
| ·PVA为绝缘层器件的性能研究 | 第37-42页 |
| ·PVA薄膜的制备 | 第38页 |
| ·PVA为绝缘层的器件的性能研究 | 第38-42页 |
| ·PVA/PMMA双绝缘层的垂直PhotOFETs | 第42页 |
| ·用CYEPL为绝缘层制作垂直PhotOFETs | 第42-44页 |
| ·小结 | 第44-46页 |
| 5 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 作者简历 | 第49-51页 |
| 学位论文数据集 | 第51页 |