摘要 | 第1-10页 |
Abstract | 第10-12页 |
第一章 绪论(磷化物、氮化物发光纳米材料的研究进展) | 第12-36页 |
·引言 | 第12页 |
·半导体材料 | 第12-13页 |
·化合物半导体的应用 | 第12-13页 |
·半导体材料的特性 | 第13页 |
·金属磷化物半导体纳米材料合成进展 | 第13-20页 |
·概述 | 第13-14页 |
·金属磷化物纳米材料的制备方法 | 第14-20页 |
·氮化镓半导体纳米材料合成进展 | 第20-25页 |
·概述 | 第20页 |
·GNa纳米材料的制备方法 | 第20-25页 |
·氮化硼体纳米材料合成进展 | 第25-31页 |
·概述 | 第25-26页 |
·六方氮化硼的结构和性质 | 第26页 |
·菱形(三方)氮化硼的结构和性质 | 第26页 |
·立方氮化硼的结构和性质 | 第26-27页 |
·氮化硼纳米管的制备方法 | 第27-31页 |
参考文献 | 第31-36页 |
第二章 乙醇胺-水的溶剂体系中控制合成金属磷化物的空心球 | 第36-60页 |
·概述 | 第36-37页 |
·乙醇胺-水的溶剂体系中自模板法制备InP的空心球 | 第37-46页 |
·引言 | 第37页 |
·实验部分 | 第37-38页 |
·产物的表征 | 第38页 |
·结果与讨论 | 第38-45页 |
·本节小结 | 第45-46页 |
·乙醇胺-水体系中奥氏熟化方法制备InP及其他金属磷化物的空心球 | 第46-57页 |
·引言 | 第46页 |
·实验部分 | 第46-47页 |
·产物的表征 | 第47-48页 |
·结果与讨论 | 第48-53页 |
·其他金属磷化物空心球的普适合成 | 第53-56页 |
·本章小结 | 第56-57页 |
参考文献 | 第57-60页 |
第三章 GaN纳米材料的合成 | 第60-86页 |
·概述 | 第60页 |
·GaN锥形棒的合称及光学性质研究 | 第60-76页 |
·引言 | 第60-61页 |
·实验过程 | 第61页 |
·结果与讨论 | 第61-74页 |
·本章小结 | 第74-76页 |
·氨化法合成GaN纳米材料 | 第76-83页 |
·引言 | 第76页 |
·实验过程 | 第76-77页 |
·结果与讨论 | 第77-82页 |
·本章小结 | 第82-83页 |
参考文献 | 第83-86页 |
第四章 BN纳米三角片的制备、表征和光学性质的研究 | 第86-102页 |
·引言 | 第86页 |
·实验部分 | 第86-87页 |
·试剂 | 第86页 |
·实验过程 | 第86-87页 |
·产物的表征 | 第87页 |
·结果与讨论 | 第87-99页 |
·产物的物相分析 | 第87-89页 |
·样品的形貌和结构分析 | 第89-91页 |
·BN纳米三角片生长机理的研究 | 第91-93页 |
·BN纳米三角片的光热性质研究 | 第93-99页 |
·本章小结 | 第99-100页 |
参考文献 | 第100-102页 |
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第102-104页 |
致谢 | 第104页 |