直拉法单晶硅熔体内热量、动量及质量输运的数值模拟
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 主要符号表 | 第9-10页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·晶体生长方法概述 | 第10-13页 |
| ·晶体生长方法分类 | 第10-12页 |
| ·直拉法 | 第12-13页 |
| ·直拉法生长单晶硅的研究现状 | 第13-18页 |
| ·理论研究 | 第14-15页 |
| ·实验研究 | 第15页 |
| ·数值模拟 | 第15-18页 |
| ·本课题的目的和研究内容 | 第18-20页 |
| ·本课题研究的目的 | 第18页 |
| ·本课题的研究内容 | 第18-20页 |
| 2 物理模型和数学模型 | 第20-26页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·物理模型及相关假设 | 第20-21页 |
| ·计算使用的物性参数 | 第21页 |
| ·数学模型 | 第21-25页 |
| ·控制方程组 | 第21-24页 |
| ·边界条件 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 3 计算方法 | 第26-36页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·有限容积法简介 | 第26-27页 |
| ·FLUENT 软件及其应用 | 第27页 |
| ·数值计算方法 | 第27-33页 |
| ·区域离散化 | 第27-28页 |
| ·离散方程的建立 | 第28-29页 |
| ·对流-扩散方程的离散格式 | 第29-31页 |
| ·压力与速度的耦合 | 第31-33页 |
| ·浮力对流的Boussinesq 假设 | 第33页 |
| ·本课题的计算方法与计算过程 | 第33-35页 |
| ·本课题的计算方法 | 第33-34页 |
| ·本课题的计算过程 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 4 计算结果与分析 | 第36-61页 |
| ·第一类热边界条件 | 第36-47页 |
| ·间壁高度的影响 | 第36-38页 |
| ·间壁位置的影响 | 第38-41页 |
| ·晶体转速的影响 | 第41-43页 |
| ·坩埚转速的影响 | 第43-45页 |
| ·坩埚侧壁与熔体-晶体界面的温差的影响 | 第45-47页 |
| ·第二类热边界条件 | 第47-60页 |
| ·间壁高度的影响 | 第48-50页 |
| ·间壁位置的影响 | 第50-53页 |
| ·晶体转速的影响 | 第53-55页 |
| ·坩埚转速的影响 | 第55-58页 |
| ·坩埚侧壁热流密度的影响 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 5 结论与展望 | 第61-63页 |
| ·主要结论 | 第61-62页 |
| ·后续研究工作的展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 附录 作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第70页 |
