| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| ·Cu 互连线的限制 | 第10-14页 |
| ·Cu 互连线的制造工艺 | 第10-11页 |
| ·阻挡层对铜互连的影响 | 第11-12页 |
| ·铜导线的晶界散射和表面散射 | 第12-13页 |
| ·互连线的电迁移 | 第13-14页 |
| ·碳纳米管的结构及特性 | 第14-17页 |
| ·碳纳米管的结构 | 第15-16页 |
| ·碳纳米管的热学及电学性能 | 第16-17页 |
| ·碳纳米管互连的国内外研究现状 | 第17-18页 |
| ·本文主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 碳纳米管通孔互连结构的制备方法及表征 | 第19-36页 |
| ·碳纳米管通孔互连结构的实验设计 | 第19-21页 |
| ·版图设计 | 第21-23页 |
| ·TiN 薄膜的制备及表征 | 第23-26页 |
| ·TiN 薄膜的制备 | 第23-24页 |
| ·TiN 薄膜的电阻率的表征 | 第24-26页 |
| ·SiO_2薄膜的制备及表征 | 第26-27页 |
| ·SiO_2薄膜的制备方法 | 第26页 |
| ·磁控溅射沉积 SiO_2薄膜的速率和表面形貌的表征 | 第26-27页 |
| ·碳纳米管通孔互连结构的光刻工艺 | 第27-29页 |
| ·旋涂光刻胶 | 第27-28页 |
| ·曝光 | 第28页 |
| ·显影 | 第28-29页 |
| ·光刻胶图形的表征 | 第29页 |
| ·SiO_2的湿法腐蚀工艺 | 第29-30页 |
| ·催化剂的制备 | 第30-31页 |
| ·催化剂薄膜的沉积 | 第30页 |
| ·通孔外催化剂薄膜的剥离 | 第30页 |
| ·催化剂薄膜的预处理 | 第30-31页 |
| ·催化剂颗粒的表征 | 第31页 |
| ·碳纳米管的生长 | 第31-34页 |
| ·碳纳米管的制备方法 | 第31-32页 |
| ·PECVD 法生长 CNTs 的机理 | 第32-33页 |
| ·碳纳米管的表征 | 第33-34页 |
| ·顶电极 Cu 图形的制作 | 第34-36页 |
| ·Cu 薄膜的沉积 | 第34页 |
| ·Cu 薄膜的湿法腐蚀 | 第34-36页 |
| 第三章 碳纳米管通孔互连工艺的研究 | 第36-64页 |
| ·TiN 薄膜沉积的研究 | 第36-40页 |
| ·直流电源溅射功率对 TiN 薄膜电阻率的影响 | 第36-37页 |
| ·工作压强对 TiN 薄膜电阻率的影响 | 第37-38页 |
| ·Ar/N2气体流量比对 TiN 薄膜电阻率的影响 | 第38-39页 |
| ·靶基距对 TiN 薄膜电阻率的影响 | 第39-40页 |
| ·磁控溅射沉积 SiO_2的研究 | 第40-42页 |
| ·通孔结构光刻工艺的研究 | 第42-49页 |
| ·曝光时间对光刻胶图形结构的影响 | 第42-43页 |
| ·密着真空度对光刻胶图形结构的影响 | 第43-46页 |
| ·显影时间对光刻胶图形结构的影响 | 第46-49页 |
| ·BOE 腐蚀时间对 SiO_2图形结构的影响 | 第49-53页 |
| ·催化剂薄膜 Lift-off 工艺的研究 | 第53-55页 |
| ·碳纳米管生长的研究 | 第55-62页 |
| ·催化剂种类对低温碳纳米管生长的影响 | 第55-60页 |
| ·偏压对碳纳米管定向生长的影响 | 第60-62页 |
| ·直流溅射功率对 Cu 薄膜沉积的影响 | 第62-64页 |
| 第四章 碳纳米管通孔互连结构的工艺整合及电学特性的研究 | 第64-73页 |
| ·碳纳米管通孔互连结构的工艺整合 | 第64-71页 |
| ·工艺整合中的问题 | 第64-67页 |
| ·碳纳米管通孔互连结构的制作步骤 | 第67-71页 |
| ·不同尺寸碳纳米管通孔互连结构的电学表征 | 第71-73页 |
| 第五章 结论 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-79页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
