| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| ·课题背景 | 第8-9页 |
| ·ZrB_2 陶瓷基复合材料的设计原则 | 第9-12页 |
| ·ZrB_2 基体材料的确定 | 第9-10页 |
| ·SiC 增强体材料的确定 | 第10-12页 |
| ·ZrB_2-SiC 陶瓷基复合材料的制备研究 | 第12-16页 |
| ·ZrB_2-SiC 陶瓷基复合材料的制备方法 | 第12页 |
| ·ZrB_2-SiC 陶瓷基复合材料的致密化 | 第12-13页 |
| ·国内外纳米内晶型复合材料的研究 | 第13-16页 |
| ·本研究课题的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 材料的设计制备与试验方法 | 第18-25页 |
| ·材料体系设计 | 第18-20页 |
| ·材料的制备方法 | 第20-22页 |
| ·ZrB_2 和SiC 原始粉体的分散 | 第20-21页 |
| ·热压烧结工艺设计 | 第21-22页 |
| ·试验及表征方法 | 第22-25页 |
| ·密度及相对密度测试 | 第22-23页 |
| ·室温力学性能测试 | 第23-24页 |
| ·成分及组织结构分析 | 第24-25页 |
| 第3章 内晶型ZrB_2-SiC 陶瓷基复合材料的组织研究 | 第25-40页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·ZrB_2-SiC 陶瓷基复合材料的致密度研究 | 第25-28页 |
| ·分散介质对材料致密度的影响 | 第25-26页 |
| ·烧结温度对材料致密度的影响 | 第26-27页 |
| ·SiC 体积含量对材料致密度的影响 | 第27-28页 |
| ·ZrB_2-SiC 陶瓷基复合材料的表面形貌研究 | 第28-32页 |
| ·分散介质对材料表面形貌的影响 | 第28-29页 |
| ·烧结温度对材料表面形貌的影响 | 第29-30页 |
| ·SiC 体积含量对材料表面形貌的影响 | 第30-32页 |
| ·ZrB_2-SiC 陶瓷基复合材料的断口形貌分析 | 第32-34页 |
| ·ZrB_2-SiC 陶瓷基复合材料的SPS 烧结 | 第34-36页 |
| ·ZrB_2-SiC 陶瓷基复合材料的内晶结构形成条件分析 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 纳米内晶型ZrB_2-SiC 陶瓷基复合材料的力学性能研究 | 第40-54页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·ZrB_2-SiC 陶瓷基复合材料的室温抗弯强度 | 第40-43页 |
| ·分散工艺对室温抗弯强度的影响 | 第40-41页 |
| ·烧结工艺对室温抗弯强度的影响 | 第41-42页 |
| ·烧结方法对室温抗弯强度的影响 | 第42-43页 |
| ·断裂韧性 | 第43-46页 |
| ·分散工艺对断裂韧性的影响 | 第43-44页 |
| ·烧结工艺对断裂韧性的影响 | 第44-46页 |
| ·烧结方法对断裂韧性的影响 | 第46页 |
| ·纳米内晶型ZrB_2-SiC 陶瓷基复合材料的强韧化机理研究 | 第46-52页 |
| ·增强机理研究 | 第46-48页 |
| ·增韧机理研究 | 第48-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第5章 ZrB_2-SiC 陶瓷基复合材料内晶结构形成机理的探讨 | 第54-63页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·SiC 粒子的团聚机理研究 | 第54-56页 |
| ·SiC 纳米粒子的自身作用 | 第54-55页 |
| ·能量起伏和质量起伏作用 | 第55-56页 |
| ·SiC 内晶结构的形成机理研究 | 第56-62页 |
| ·国外学者关于内晶结构形成机理的研究 | 第56页 |
| ·本体系材料内晶结构形成机理的假设 | 第56-57页 |
| ·本体系材料内晶结构形成机理的研究 | 第57-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
