| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-7页 |
| 引言 | 第7-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-24页 |
| ·氧化铝膜的基本介绍 | 第8-10页 |
| ·纳米孔氧化铝模板的制备 | 第10-13页 |
| ·恒压二次氧化法 | 第11-12页 |
| ·恒流二次氧化法 | 第12-13页 |
| ·纳米图案化技术的研究现状 | 第13-21页 |
| ·光刻技术 | 第14-16页 |
| ·分子组装技术(Molecule assembly) | 第16-17页 |
| ·纳米加工技术 | 第17-18页 |
| ·纳米压印技术(NIL) | 第18-20页 |
| ·化学生长技术 | 第20-21页 |
| ·薄膜技术 | 第21页 |
| ·本课题的研究目的及意义 | 第21-24页 |
| 第二章 阳极氧化铝模板的恒流法制备与表征 | 第24-36页 |
| ·实验部分 | 第24-26页 |
| ·试剂和仪器 | 第24-25页 |
| ·实验方法及步骤 | 第25页 |
| ·测试样品的制备与表征 | 第25-26页 |
| ·结果与讨论 | 第26-34页 |
| ·电流密度对模板制备的影响 | 第26-31页 |
| ·恒流6mA氧化 | 第26-27页 |
| ·恒流8mA氧化 | 第27-28页 |
| ·恒流10mA氧化 | 第28-29页 |
| ·恒流12mA氧化 | 第29-30页 |
| ·恒流14mA氧化 | 第30-31页 |
| ·氧化时间对模板制备的影响 | 第31-33页 |
| ·氧化温度对模板制备的影响 | 第33-34页 |
| ·本章结论 | 第34-36页 |
| 第三章 最佳光刻工艺条件的研究 | 第36-47页 |
| ·实验部分 | 第36-38页 |
| ·试剂和仪器 | 第36-37页 |
| ·实验方法及步骤 | 第37-38页 |
| ·测试样品的制备与表征 | 第38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-46页 |
| ·图案化的铝片 | 第38-42页 |
| ·匀胶速率的影响 | 第38-40页 |
| ·后烘时间的影响 | 第40页 |
| ·匀胶量的影响 | 第40-41页 |
| ·曝光时间的影响 | 第41-42页 |
| ·玻璃片的图案化 | 第42-43页 |
| ·匀胶量的影响 | 第42-43页 |
| ·曝光时间的影响 | 第43页 |
| ·AAO模板的图案化 | 第43-46页 |
| ·显影时间为10s | 第43-44页 |
| ·显影时间为15s | 第44-45页 |
| ·显影时间为20s | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 图案化 AAO模板的恒流法制备及其应用 | 第47-60页 |
| ·实验部分 | 第47-50页 |
| ·试剂及仪器 | 第47-48页 |
| ·实验方法及步骤 | 第48-50页 |
| ·图案化 AAO模板的制备 | 第48-49页 |
| ·图案化 PS一维纳米结构阵列的溶液法制备 | 第49页 |
| ·图案化铜纳米线的制备 | 第49-50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-59页 |
| ·图案化的 AAO模板 | 第50-52页 |
| ·溶液法制备图案化的 PS一维纳米结构 | 第52-54页 |
| ·磷铬酸溶解模板 | 第52-53页 |
| ·氢氧化钠溶解模板 | 第53-54页 |
| ·熔融法制备图案化的 PS一维纳米结构 | 第54-55页 |
| ·图案化铜纳米线 | 第55-59页 |
| ·恒压沉积 10min | 第55-56页 |
| ·恒压沉积 20min | 第56-57页 |
| ·恒压沉积 60min | 第57-59页 |
| ·本章结论 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |