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硅表面氧吸附、扩散及硅氧团簇形成的理论研究

摘要第1-5页
Abstract第5-11页
第一章 前言第11-17页
   ·研究背景和意义第11-12页
   ·国内外现状分析第12-15页
     ·实验研究现状第12-14页
     ·理论计算现状第14-15页
   ·本文的主要工作第15-17页
第二章 基本原理与方法第17-39页
   ·引言第17页
   ·Born-Oppenheimer 近似第17-18页
   ·密度泛函理论第18-28页
   ·赝势第28-32页
   ·从头计算分子动力学方法第32-35页
   ·晶体特性的计算原理与分析方法概述第35-39页
     ·晶体几何优化第35页
     ·能带与态密度第35-36页
     ·密立根布据分析第36-39页
第三章 硅表面氧的吸附与扩散第39-49页
   ·引言第39-40页
   ·理论模型与计算方法第40-41页
     ·物理模型第40-41页
     ·计算方法第41页
   ·结果与讨论第41-47页
     ·吸附过程与能量变化第41-46页
     ·扩散系数分析第46-47页
   ·小结第47-49页
第四章 硅氧团簇原子与电子结构第49-59页
   ·概述第49页
   ·物理模型与计算方法第49-52页
     ·计算的物理模型第49-51页
     ·计算方法第51-52页
   ·结果与讨论第52-57页
     ·表面结构分析第52-55页
     ·Mulliken 布居分析第55-56页
     ·表面电子密度与成键情况第56-57页
   ·结论第57-59页
第五章 硅表面与硅氧团簇的能带结构及电子态密度第59-65页
   ·理论模型与计算方法第59页
     ·理论模型第59页
     ·计算参数第59页
   ·结果与讨论第59-64页
     ·能带结构分析第60-61页
     ·表面电子态密度分析第61-64页
   ·结论第64-65页
第六章 总结与展望第65-67页
参考文献第67-74页
致谢第74-75页
在校期间的科研成果第75页

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