| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-31页 |
| ·研究背景及其意义 | 第12-16页 |
| ·锂基陶瓷及其氚微观行为的理论研究 | 第16-21页 |
| ·固体氚增殖材料基态性质研究进展 | 第16-19页 |
| ·固体氚增殖材料中缺陷性质及氚行为的理论研究 | 第19-21页 |
| ·小结 | 第21页 |
| ·固体氚增殖材料中氚行为的实验研究 | 第21-24页 |
| ·国内研究现状 | 第21-22页 |
| ·国外研究现状 | 第22-24页 |
| ·小结 | 第24页 |
| ·固体氚增殖材料的制备技术 | 第24-30页 |
| ·硅酸锂的组成及复杂相变 | 第25-28页 |
| ·硅酸锂粉末的制备 | 第28-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第二章 密度泛函理论及CASTEP简介 | 第31-45页 |
| ·密度泛函理论简介 | 第31-34页 |
| ·CASTEP简介 | 第34-44页 |
| ·价电子与离子实相互作用的赝势描述 | 第35-40页 |
| ·CASTEP中周期性结构计算优点 | 第40-41页 |
| ·平面波基组 | 第41-42页 |
| ·非定域交换-相关泛函 | 第42-43页 |
| ·电子局域函数 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 锂基陶瓷基态性质的密度泛函理论研究 | 第45-79页 |
| ·计算方法与计算过程 | 第45页 |
| ·锂基陶瓷的晶体结构优化 | 第45-52页 |
| ·Li_2O | 第46-47页 |
| ·Li_2SiO_3 | 第47-48页 |
| ·Li_4SiO_4 | 第48-51页 |
| ·Li_2TiO_3 | 第51-52页 |
| ·小结 | 第52页 |
| ·晶格结合能 | 第52-57页 |
| ·Li_2O | 第53-54页 |
| ·Li_2SiO_3 | 第54页 |
| ·Li_4SiO_4 | 第54-55页 |
| ·Li_2TiO_3 | 第55页 |
| ·晶格结合能的第一原理计算与热化学计算结果的比较 | 第55-57页 |
| ·能带结构与电子态密度 | 第57-68页 |
| ·Li_2O | 第58-61页 |
| ·Li_2SiO_3 | 第61-63页 |
| ·Li_4SiO_4 | 第63-65页 |
| ·Li_2TiO_3 | 第65-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| ·Mulliken电荷布居分析与电荷密度分布 | 第68-77页 |
| ·Li_2O | 第68-70页 |
| ·Li_2SiO_3 | 第70-72页 |
| ·Li_4SiO_4 | 第72-74页 |
| ·Li_2TiO_3 | 第74-77页 |
| ·小结 | 第77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| 第四章 锂基陶瓷缺陷性质及氚行为的密度泛函理论研究 | 第79-126页 |
| ·计算过程 | 第79-80页 |
| ·离子空位缺陷性质 | 第80-102页 |
| ·Li离子空位(V_(Li)) | 第80-93页 |
| ·O离子空位(V_O) | 第93-101页 |
| ·关于离子空位缺陷的小结与讨论 | 第101-102页 |
| ·氚缺陷的性质 | 第102-124页 |
| ·填隙氚缺陷(T_(in)) | 第103-111页 |
| ·替位氚缺陷(T_(Li)) | 第111-123页 |
| ·关于氚缺陷的小结与讨论 | 第123-124页 |
| ·本章小结 | 第124-126页 |
| 第五章 锂硅酸盐的制备与表征 | 第126-136页 |
| ·锂硅酸盐的制备 | 第126-127页 |
| ·实验试剂 | 第126-127页 |
| ·制备方法 | 第127页 |
| ·固态反应过程研究方法和锂硅酸盐的表征方法 | 第127-128页 |
| ·合成Li_4SiO_4的固态反应过程研究方法 | 第127页 |
| ·产物相结构表征 | 第127-128页 |
| ·产物微观结构表征 | 第128页 |
| ·产物比表面积分析 | 第128页 |
| ·结果与讨论 | 第128-135页 |
| ·反应过程的TGA研究 | 第128-130页 |
| ·反应产物相组成与结构的XRD研究 | 第130-133页 |
| ·产物的比表面积分析 | 第133页 |
| ·反应产物的微观形貌 | 第133-135页 |
| ·本章小结 | 第135-136页 |
| 第六章 硅酸锂中氘行为实验初探 | 第136-148页 |
| ·氘离子注入过程模拟 | 第136-138页 |
| ·单能D~+注入及其对相结构和表面微观结构的影响 | 第138-143页 |
| ·离子注入样品制备 | 第138页 |
| ·离子注入样品表征 | 第138-139页 |
| ·实验结果 | 第139-143页 |
| ·氘的真空热脱附谱 | 第143-144页 |
| ·讨论 | 第144-147页 |
| ·离子注入氘模拟研究固体氚增殖材料中氚行为的可比性分析 | 第144-146页 |
| ·Li_4SiO_4中离子注入氘的热释放过程与氘晶格占位关系的初步探讨 | 第146-147页 |
| ·本章小结 | 第147-148页 |
| 第七章 结论 | 第148-150页 |
| 参考文献 | 第150-162页 |
| 致谢 | 第162-163页 |
| 附录 | 第163-164页 |
