| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| ·半导体纳米晶简介 | 第9-11页 |
| ·半导体纳米晶的基本特性 | 第11-14页 |
| ·量子尺寸效应 | 第11-12页 |
| ·表面效应 | 第12-13页 |
| ·介电限域效应 | 第13页 |
| ·库伦阻塞效应以及量子隧穿效应 | 第13-14页 |
| ·半导体纳米晶的制备 | 第14-17页 |
| ·半导体纳米晶的基本表征 | 第17-21页 |
| ·半导体纳米晶基本形貌表征方法 | 第17-18页 |
| ·半导体纳米晶的光谱表征 | 第18-21页 |
| ·国内外半导体纳米晶发展现状 | 第21-24页 |
| ·本论文的研究意义及其主要内容 | 第24-27页 |
| 第二章 化学法制备Se纳米晶及其光学性能研究 | 第27-36页 |
| ·前言 | 第27-29页 |
| ·实验试剂及仪器 | 第29-30页 |
| ·实验原料 | 第29页 |
| ·实验仪器 | 第29-30页 |
| ·实验方法 | 第30-31页 |
| ·Se纳米晶的结构表征 | 第31-34页 |
| ·X射线粉末衍射(XRD)分析 | 第31-32页 |
| ·透射电子显微镜(TEM)分析 | 第32-34页 |
| ·Se纳米晶的光学性能表征 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 化学法制备CdSe_(1-x)S_x纳米晶及其光学性能研究 | 第36-46页 |
| ·前言 | 第36-37页 |
| ·实验试剂及仪器 | 第37-38页 |
| ·实验原料 | 第37-38页 |
| ·实验仪器 | 第38页 |
| ·实验方法 | 第38-40页 |
| ·CdSe_(1-x)S_x纳米晶的结构表征 | 第40-42页 |
| ·CdSe_(1-x)S_x的X射线衍射(XRD)分析 | 第40-41页 |
| ·CdSe_(1-x)S_x的透射电子显微镜(TEM)分析 | 第41-42页 |
| ·CdSe_(1-x)S_x纳米晶的光学性能表征 | 第42-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 化学法制备CuSe、Cu_(2-x)Se、Cu_2Se纳米晶及其光学性能研究 | 第46-55页 |
| ·前言 | 第46-47页 |
| ·实验部分 | 第47页 |
| ·试剂 | 第47页 |
| ·实验仪器 | 第47-50页 |
| ·制备过程 | 第48-50页 |
| ·CuSe、Cu_(2-x)Se、Cu_2Se纳米晶的结构表征 | 第50-53页 |
| ·CuSe、Cu_(2-x)Se、Cu_2Se纳米晶的X射线粉末衍射(XRD)分析 | 第50-51页 |
| ·CuSe、Cu_(2-x)Se、Cu_2Se纳米晶的透射电子显微镜(TEM)分析 | 第51-53页 |
| ·CuSe、Cu_(2-x)Se、Cu_2Se纳米晶的光学性能表征 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 结论和展望 | 第55-58页 |
| ·结论 | 第55-56页 |
| ·展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
