| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-28页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 存储器简介 | 第9-13页 |
| 1.2.1 存储器分类 | 第9-11页 |
| 1.2.2 非易失性存储器市场 | 第11-13页 |
| 1.3 存储器发展历程 | 第13-25页 |
| 1.3.1 传统浮栅存储器 | 第14-15页 |
| 1.3.2 SONOS浮栅存储器 | 第15-16页 |
| 1.3.3 纳米晶浮栅存储器 | 第16-22页 |
| 1.3.4 金属纳米晶浮栅存储器 | 第22-25页 |
| 1.4 论文结构及内容安排 | 第25-28页 |
| 第二章 浮栅存储器理论 | 第28-42页 |
| 2.1 浮栅存储器结构 | 第28-29页 |
| 2.2 工作原理 | 第29-30页 |
| 2.3 电荷输运原理 | 第30-38页 |
| 2.3.1 热电子注入 | 第31-33页 |
| 2.3.2 Fowler-Nordheim(FN)隧穿 | 第33-34页 |
| 2.3.3 直接隧穿 | 第34-38页 |
| 2.4 可靠性分析 | 第38-42页 |
| 2.4.1 耐擦写能力 | 第38-39页 |
| 2.4.2 数据保持能力 | 第39-42页 |
| 第三章 基于钙钛矿量子点的浮栅存储器 | 第42-52页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 器件的制备 | 第43-45页 |
| 3.2.1 CsPbBr_3量子点的合成 | 第43页 |
| 3.2.2 器件的构建 | 第43-45页 |
| 3.3 器件表征 | 第45-46页 |
| 3.4 器件测试及分析 | 第46-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 基于PbS量子点的双浮栅存储器 | 第52-64页 |
| 4.1 引言 | 第52页 |
| 4.2 器件制备 | 第52-54页 |
| 4.2.1 PbS量子点的合成 | 第53页 |
| 4.2.2 器件构建 | 第53-54页 |
| 4.3 器件表征 | 第54-56页 |
| 4.4 器件测试及分析 | 第56-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 5.1 总结 | 第64-65页 |
| 5.2 展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-76页 |
| 发表的论文和参加科研情况说明 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78页 |