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过共晶Al-Si合金电磁分离过程中的晶体生长行为及杂质分凝规律

中文摘要第3-4页
英文摘要第4-5页
1 绪论第8-24页
    1.1 立题背景第8-9页
    1.2 光伏产业的发展现状第9-10页
    1.3 太阳能多晶硅的生产工艺第10-20页
        1.3.1 化学法制备太阳能级硅第10-12页
        1.3.2 冶金法制备太阳能级硅第12-14页
        1.3.3 合金熔剂精炼制备太阳能级硅第14-20页
    1.4 合金熔体中初晶硅的分离方法第20-23页
    1.5 本文研究的目的及内容第23-24页
        1.5.1 本文的目的与意义第23页
        1.5.2 本课题的研究内容第23-24页
2 实验的原料、设备及方法第24-28页
    2.1 实验原料第24页
    2.2 实验设备第24-25页
    2.3 实验方法第25-26页
        2.3.1 实验步骤第25页
        2.3.2 分析检测第25-26页
    2.4 本章小结第26-28页
3 过共晶Al-Si合金电磁分离过程中初晶硅的生长行为第28-34页
    3.1 引言第28页
    3.2 实验过程与条件第28-29页
    3.3 结果分析第29-33页
        3.3.1 合金成分对初晶硅生长速率的影响第29-31页
        3.3.2 下拉速率对初晶硅生长速率的影响第31-33页
    3.4 本章小结第33-34页
4 电磁分离过程中初晶硅的富集机理及晶体形貌控制第34-54页
    4.1 引言第34页
    4.2 实验条件第34页
    4.3 Al-Si合金成分对初晶硅富集的影响第34-41页
        4.3.1 合金成分对初晶硅形貌的影响第35-39页
        4.3.2 合金成分对初晶硅富集率的影响第39-41页
    4.4 下拉速率对初晶硅富集的影响第41-46页
        4.4.1 下拉速率对初晶硅形貌的影响第42-44页
        4.4.2 下拉速率对初晶硅富集率的影响第44-46页
    4.5 初晶硅富集机理的分析与讨论第46-53页
    4.6 本章小结第53-54页
5 电磁定向凝固过程中金属杂质的分凝规律第54-64页
    5.1 引言第54页
    5.2 实验部分第54-55页
        5.2.1 样品成分第54页
        5.2.2 样品制备工艺与样品处理第54-55页
    5.3 Al-Si合金的宏观形貌分析第55-58页
    5.4 Al-Si合金中的杂质相分析第58-59页
    5.5 金属元素的去除和分凝行为研究第59-62页
        5.5.1 Al-Si合金中金属元素的分布第59-60页
        5.5.2 金属元素的表观分凝系数第60-62页
    5.6 金属元素的去除率第62-63页
    5.7 小结第63-64页
6 结论及展望第64-66页
    6.1 结论第64页
    6.2 创新点第64-65页
    6.3 展望第65-66页
致谢第66-68页
参考文献第68-74页
附录第74-75页
    A 作者在攻读硕士学位期间取得的科研成果第74页
        A1.发表的论文第74页
        A2.申请的专利第74页
    B 作者在攻读硕士学位期间参加的学术活动第74-75页
    C 作者在攻读硕士学位期间参与的科研项目第75页
    D 作者在攻读硕士学位期间的获奖情况第75页

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