| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-24页 |
| 1.1 立题背景 | 第8-9页 |
| 1.2 光伏产业的发展现状 | 第9-10页 |
| 1.3 太阳能多晶硅的生产工艺 | 第10-20页 |
| 1.3.1 化学法制备太阳能级硅 | 第10-12页 |
| 1.3.2 冶金法制备太阳能级硅 | 第12-14页 |
| 1.3.3 合金熔剂精炼制备太阳能级硅 | 第14-20页 |
| 1.4 合金熔体中初晶硅的分离方法 | 第20-23页 |
| 1.5 本文研究的目的及内容 | 第23-24页 |
| 1.5.1 本文的目的与意义 | 第23页 |
| 1.5.2 本课题的研究内容 | 第23-24页 |
| 2 实验的原料、设备及方法 | 第24-28页 |
| 2.1 实验原料 | 第24页 |
| 2.2 实验设备 | 第24-25页 |
| 2.3 实验方法 | 第25-26页 |
| 2.3.1 实验步骤 | 第25页 |
| 2.3.2 分析检测 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-28页 |
| 3 过共晶Al-Si合金电磁分离过程中初晶硅的生长行为 | 第28-34页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 实验过程与条件 | 第28-29页 |
| 3.3 结果分析 | 第29-33页 |
| 3.3.1 合金成分对初晶硅生长速率的影响 | 第29-31页 |
| 3.3.2 下拉速率对初晶硅生长速率的影响 | 第31-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 4 电磁分离过程中初晶硅的富集机理及晶体形貌控制 | 第34-54页 |
| 4.1 引言 | 第34页 |
| 4.2 实验条件 | 第34页 |
| 4.3 Al-Si合金成分对初晶硅富集的影响 | 第34-41页 |
| 4.3.1 合金成分对初晶硅形貌的影响 | 第35-39页 |
| 4.3.2 合金成分对初晶硅富集率的影响 | 第39-41页 |
| 4.4 下拉速率对初晶硅富集的影响 | 第41-46页 |
| 4.4.1 下拉速率对初晶硅形貌的影响 | 第42-44页 |
| 4.4.2 下拉速率对初晶硅富集率的影响 | 第44-46页 |
| 4.5 初晶硅富集机理的分析与讨论 | 第46-53页 |
| 4.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 5 电磁定向凝固过程中金属杂质的分凝规律 | 第54-64页 |
| 5.1 引言 | 第54页 |
| 5.2 实验部分 | 第54-55页 |
| 5.2.1 样品成分 | 第54页 |
| 5.2.2 样品制备工艺与样品处理 | 第54-55页 |
| 5.3 Al-Si合金的宏观形貌分析 | 第55-58页 |
| 5.4 Al-Si合金中的杂质相分析 | 第58-59页 |
| 5.5 金属元素的去除和分凝行为研究 | 第59-62页 |
| 5.5.1 Al-Si合金中金属元素的分布 | 第59-60页 |
| 5.5.2 金属元素的表观分凝系数 | 第60-62页 |
| 5.6 金属元素的去除率 | 第62-63页 |
| 5.7 小结 | 第63-64页 |
| 6 结论及展望 | 第64-66页 |
| 6.1 结论 | 第64页 |
| 6.2 创新点 | 第64-65页 |
| 6.3 展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 附录 | 第74-75页 |
| A 作者在攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第74页 |
| A1.发表的论文 | 第74页 |
| A2.申请的专利 | 第74页 |
| B 作者在攻读硕士学位期间参加的学术活动 | 第74-75页 |
| C 作者在攻读硕士学位期间参与的科研项目 | 第75页 |
| D 作者在攻读硕士学位期间的获奖情况 | 第75页 |