| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 课题研究的目的及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 高压大功率IGBT器件的发展 | 第11-13页 |
| 1.2.1 IGBT封装发展过程 | 第11-12页 |
| 1.2.2 压接型IGBT器件的分类 | 第12-13页 |
| 1.3 IGBT寿命的国内外研究现状 | 第13-26页 |
| 1.3.1 威布尔(Weibull)统计分布与Coffin-Manson定理 | 第14-15页 |
| 1.3.2 IGBT解析寿命模型 | 第15-16页 |
| 1.3.3 IGBT物理寿命模型 | 第16-24页 |
| 1.3.4 适用于压接型IGBT器件的寿命模型 | 第24-26页 |
| 1.4 本文主要工作及论文安排 | 第26-28页 |
| 第2章 压接型IGBT器件有限元模型的建立 | 第28-41页 |
| 2.1 压接型IGBT器件单芯片子模组结构模型 | 第28-30页 |
| 2.2 压接型IGBT器件材料模型及材料参数 | 第30-34页 |
| 2.2.1 随动硬化模型介绍 | 第30-33页 |
| 2.2.2 材料参数介绍 | 第33-34页 |
| 2.3 多物理场耦合的有限元方法 | 第34-35页 |
| 2.3.1 课题所用软件及多物理场耦合过程 | 第34页 |
| 2.3.2 有限元方法 | 第34-35页 |
| 2.4 可靠性试验及功率循环试验 | 第35-40页 |
| 2.4.1 功率循环试验相关标准 | 第36-38页 |
| 2.4.2 压接型IGBT器件失效判定标准及失效原理 | 第38-40页 |
| 2.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第3章 压接型IGBT器件的应变疲劳寿命 | 第41-59页 |
| 3.1 压接型IGBT器件单芯片子模组应变疲劳参数 | 第41-42页 |
| 3.2 压接型IGBT器件单芯片子模组功率循环仿真 | 第42-43页 |
| 3.3 散热对压接型IGBT器件寿命的影响 | 第43-52页 |
| 3.3.1 边界条件设置 | 第43-44页 |
| 3.3.2 功率循环仿真结果 | 第44-52页 |
| 3.4 循环周期对压接型IGBT器件寿命的影响 | 第52-56页 |
| 3.4.1 接触热阻对模型的影响 | 第53-54页 |
| 3.4.2 功率循环仿真结果 | 第54-56页 |
| 3.5 压力对压接型IGBT器件寿命的影响 | 第56-57页 |
| 3.6 本章小结 | 第57-59页 |
| 第4章 压接型IGBT器件的微动疲劳寿命 | 第59-71页 |
| 4.1 压接型IGBT器件的微动疲劳寿命 | 第59-63页 |
| 4.1.1 微动疲劳寿命预测模型 | 第59-60页 |
| 4.1.2 压接型IGBT器件微动疲劳寿命仿真 | 第60-63页 |
| 4.2 压力对压接型IGBT器件微动磨损寿命的影响 | 第63-65页 |
| 4.3 考虑微动磨损时各种寿命预测模型的仿真结果比较 | 第65-67页 |
| 4.4 压接型IGBT器件失效机理分析 | 第67-70页 |
| 4.5 本章小结 | 第70-71页 |
| 第5章 全文总结与展望 | 第71-74页 |
| 5.1 全文总结 | 第71-72页 |
| 5.2 研究展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其他成果 | 第80-81页 |
| 攻读硕士学位期间参加的科研工作 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
