摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第8-18页 |
1.1 研究背景 | 第8-9页 |
1.2 压电薄膜的性质 | 第9-12页 |
1.2.1 ZnO薄膜 | 第9-10页 |
1.2.2 AlN薄膜 | 第10-12页 |
1.3 常用衬底的性质 | 第12-15页 |
1.3.1 金刚石 | 第12-13页 |
1.3.2 蓝宝石 | 第13-14页 |
1.3.3 二氧化硅 | 第14-15页 |
1.4 声子晶体的概念 | 第15-16页 |
1.5 论文内容安排 | 第16-18页 |
第二章 声表面波器件的基本理论 | 第18-25页 |
2.1 理论分析和相关公式 | 第18-20页 |
2.2 有限元仿真 | 第20-21页 |
2.3 COMSOL有限元软件 | 第21-24页 |
2.3.1 压电材料的参数的坐标变换 | 第21-22页 |
2.3.2 COMSOL中SAW器件的仿真步骤 | 第22-24页 |
2.4 本章小结 | 第24-25页 |
第三章 有限元分析IDT/(110)ZnO/(110)AlN/Diamond结构中乐甫波的传播特性 | 第25-38页 |
3.1 建立模型 | 第25-26页 |
3.2 仿真结果分析 | 第26-36页 |
3.2.1 不同结构中乐甫波的传播特性 | 第26-28页 |
3.2.2 基于IDT/(110)ZnO/(110)AlN/Diamond结构中乐甫波的传播特性 | 第28-33页 |
3.2.3 基于IDT/[(110)ZnO/(110)AlN]_N/Diamond结构中乐甫波的传播特性 | 第33-36页 |
3.3 本章小结 | 第36-38页 |
第四章 基于IDT/(110)ScAlN/R-蓝宝石结构中声表面波的特性研究 | 第38-50页 |
4.1 阻抗特性和位移场分布 | 第38-40页 |
4.2 相速度及机电耦合系数 | 第40-44页 |
4.3 质量灵敏度 | 第44-46页 |
4.4 反射系数 | 第46-48页 |
4.5 本章小结 | 第48-50页 |
第五章 2D声子晶体对IDT/(110)ZnO/SiO_2结构中乐甫波的特性影响 | 第50-65页 |
5.1 2D声子晶体位置不同时的SAW特性分析 | 第50-62页 |
5.1.1 2D声子晶体埋入ZnO薄膜 | 第50-59页 |
5.1.2 2D声子晶体埋入SiO2衬底 | 第59-62页 |
5.2 2D声子晶体半径不同时的SAW特性分析 | 第62-64页 |
5.3 本章小结 | 第64-65页 |
第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
参考文献 | 第67-72页 |
附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第72-73页 |
致谢 | 第73页 |