| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第14-26页 |
| 1.1 前言 | 第14页 |
| 1.2 纳米材料简介 | 第14-16页 |
| 1.3 Ga_2O_3基本性质 | 第16-20页 |
| 1.3.1 β-Ga_2O_3晶体结构 | 第17-18页 |
| 1.3.2 β-Ga_2O_3电学性质 | 第18-19页 |
| 1.3.3 β-Ga_2O_3光学性质 | 第19页 |
| 1.3.4 β-Ga_2O_3气敏性质 | 第19-20页 |
| 1.4 β-Ga_2O_3纳米材料的研究现状 | 第20-21页 |
| 1.5 本文工作 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-26页 |
| 第二章 β-Ga_2O_3纳米材料生长方法及表征 | 第26-39页 |
| 2.1 β-Ga_2O_3纳米材料生长方法 | 第26-29页 |
| 2.1.1 气相法 | 第26-28页 |
| 2.1.2 液相法 | 第28-29页 |
| 2.1.3 模板法 | 第29页 |
| 2.2 β-Ga_2O_3纳米材料表征方法 | 第29-35页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第30-31页 |
| 2.2.2 X射线能量色散谱(EDS) | 第31页 |
| 2.2.3 X射线衍射(XRD) | 第31-32页 |
| 2.2.4 透射电子显微镜(TEM) | 第32-33页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱(XPS) | 第33-34页 |
| 2.2.6 拉曼光谱(Raman) | 第34-35页 |
| 2.2.7 阴极荧光谱(CL) | 第35页 |
| 2.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-39页 |
| 第三章 β-Ga_2O_3纳米材料的制备与研究 | 第39-51页 |
| 3.1 实验设备与制备 | 第39-40页 |
| 3.2 β-Ga_2O_3纳米材料的形貌与结构 | 第40-42页 |
| 3.3 实验参数对β-Ga_2O_3纳米材料生长的影响 | 第42-48页 |
| 3.3.1 温度对β-Ga_2O_3纳米材料生长的影响 | 第42-45页 |
| 3.3.2 Pt催化剂对β-Ga_2O_3纳米材料生长的影响 | 第45-47页 |
| 3.3.3 氧化时间对β-Ga_2O_3纳米材料生长的影响 | 第47-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 第四章 GaN籽晶自洽生长单晶(-201)β-Ga_2O_3纳米线 | 第51-66页 |
| 4.1 新生长模式的提出及理论依据 | 第51-53页 |
| 4.1.1 (0001) GaN和(-201) β-Ga_2O_3的外延关系 | 第51-52页 |
| 4.1.2 GaN籽晶外延生长 | 第52-53页 |
| 4.2 单晶β-Ga_2O_3纳米线制备 | 第53-54页 |
| 4.3 β-Ga_2O_3纳米线的表征分析及生长机制讨论 | 第54-62页 |
| 4.3.1 表面形貌的表征 | 第54-55页 |
| 4.3.2 成分分析 | 第55-57页 |
| 4.3.3 微观结构的表征 | 第57-60页 |
| 4.3.4 发光特性分析 | 第60-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 第五章 β-Ga_2O_3不同纳米结构的形成与机理初探 | 第66-71页 |
| 5.1 孪晶结构(Twin) | 第66-67页 |
| 5.2 旗子结构(Flag) | 第67-68页 |
| 5.3 锯齿状结构(Zigzag) | 第68-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-71页 |
| 第六章 总结与展望 | 第71-72页 |
| 附录 硕士期间发表和完成的论文 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
