| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 单层二硫化钼 | 第8-14页 |
| 1.2.1 单层二硫化钼的基本结构和应用前景 | 第8-10页 |
| 1.2.2 单层二硫化钼的固有缺陷 | 第10-12页 |
| 1.2.3 缺陷对单层二硫化钼物理和化学性能的影响 | 第12-13页 |
| 1.2.4 单层二硫化钼力学特性的研究现状及问题的引出 | 第13-14页 |
| 1.3 课题的研究意义和主要研究内容 | 第14-16页 |
| 1.3.1 课题的研究意义 | 第14-15页 |
| 1.3.2 课题的主要研究内容 | 第15-16页 |
| 1.4 本章小结 | 第16-17页 |
| 第二章 分子动力学与理论计算方法 | 第17-27页 |
| 2.1 引言 | 第17-18页 |
| 2.2 分子动力学 | 第18-24页 |
| 2.2.1 分子动力学基本原理 | 第18-19页 |
| 2.2.2 力场 | 第19-21页 |
| 2.2.3 能量最小化 | 第21-24页 |
| 2.2.4 系综 | 第24页 |
| 2.3 研究所涉及的软件 | 第24-25页 |
| 2.4 非线性弹性力学理论 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 无缺陷单层二硫化钼纳米压痕实验分子动力学模拟 | 第27-41页 |
| 3.1 引言 | 第27-29页 |
| 3.2 模型建立与模拟方法 | 第29-31页 |
| 3.2.1 模型的建立 | 第29-30页 |
| 3.2.2 模拟的方法及过程 | 第30-31页 |
| 3.3 结果与分析 | 第31-39页 |
| 3.3.1 力-位移曲线与变形破坏机制 | 第31-37页 |
| 3.3.2 压头半径对纳米压痕实验仿真的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.3 压头加载速度对纳米压痕实验仿真的影响 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 含V_s空穴缺陷的单层二硫化钼纳米压痕实验的分子动力学研究 | 第41-58页 |
| 4.1 引言 | 第41-42页 |
| 4.2 模型建立及模拟方法 | 第42-44页 |
| 4.2.1 含空穴S缺陷的单层二硫化钼模型建立 | 第42-43页 |
| 4.2.2 模拟的方法 | 第43-44页 |
| 4.3 结果与分析 | 第44-57页 |
| 4.3.1 V_S空穴缺陷无序分布情况 | 第44-53页 |
| 4.3.2 V_S空穴缺陷有序分布情况 | 第53-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 受约束的单层二硫化钼薄膜热波动现象的分子动力学研究 | 第58-70页 |
| 5.1 引言 | 第58-59页 |
| 5.2 物理模型及仿真方法 | 第59-62页 |
| 5.2.1 单层二硫化钼模型及边界条件 | 第59-61页 |
| 5.2.2 仿真方法 | 第61-62页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第62-68页 |
| 5.3.1 不同边界约束条件下锯齿型边界纳米带 | 第62-65页 |
| 5.3.2 不同边界约束条件下扶手型边界纳米带 | 第65-67页 |
| 5.3.3 边界固定条件下的圆形纳米片 | 第67-68页 |
| 5.4 小结 | 第68-70页 |
| 总结和展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 个人简历 | 第78页 |
| 在读期间已发表和录用的论文 | 第78页 |
