| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 石墨烯的能带、结构、性质 | 第10-11页 |
| 1.3 金属与石墨烯及金属-石墨烯-半导体接触研究现状 | 第11-14页 |
| 1.3.1 金属与石墨烯接触研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3.2 金属-石墨烯-半导体接触研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 石墨烯在LED器件中的应用 | 第14-16页 |
| 1.5 本论文的研究意义和主要内容 | 第16-18页 |
| 第二章 石墨烯和金属及p-GaN接触研究 | 第18-28页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 石墨烯和Ag接触研究 | 第18-21页 |
| 2.3 石墨烯/AgNDs/p-GaN接触研究 | 第21-27页 |
| 2.4 本章小节 | 第27-28页 |
| 第三章 石墨烯/AgNDs电极正装近紫外LED | 第28-33页 |
| 3.1 引言 | 第28-29页 |
| 3.2 石墨烯/AgNDs电极正装近紫外LED的工艺制备过程 | 第29-31页 |
| 3.3 石墨烯/AgNDs电极倒装近紫外LED性能 | 第31-32页 |
| 3.4 本章小节 | 第32-33页 |
| 第四章 Al/Ti/石墨烯/AgNDs反射结构倒装近紫外LED | 第33-40页 |
| 4.1 引言 | 第33-34页 |
| 4.2 Al/石墨烯与Al/Ti/石墨烯/AgNDs/p-GaN接触研究 | 第34-37页 |
| 4.3 Al/Ti/HGr/AgNDs反射结构倒装近紫外LED工艺制备过程 | 第37-38页 |
| 4.4 Al/Ti/HGr/AgNDs反射结构倒装近紫外LED性能 | 第38页 |
| 4.5 本章小节 | 第38-40页 |
| 第五章 总结与展望 | 第40-42页 |
| 5.1 论文总结 | 第40-41页 |
| 5.2 工作展望 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-47页 |
| 发表论文目录 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
