| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第18-28页 |
| 1.1 引言 | 第18页 |
| 1.2 钙钛矿LED工作原理及其性能影响因素 | 第18-25页 |
| 1.2.1 钙钛矿材料的结构和性质 | 第18-20页 |
| 1.2.2 钙钛矿LED的工作原理 | 第20-21页 |
| 1.2.3 钙钛矿LED效率的影响因素 | 第21-22页 |
| 1.2.4 钙钛矿LED稳定性的影响因素 | 第22-24页 |
| 1.2.5 提高钙钛矿LED性能的几种方法 | 第24-25页 |
| 1.3 钙钛矿LED的研究进展 | 第25-26页 |
| 1.4 本文选题思想及主要研究内容 | 第26-28页 |
| 第2章 钙钛矿LED的器件制备和测试表征方法 | 第28-44页 |
| 2.1 引言 | 第28页 |
| 2.2 钙钛矿LED材料制备和性质简介 | 第28-37页 |
| 2.2.1 空穴注入层材料 | 第28-29页 |
| 2.2.2 电子注入层材料 | 第29-31页 |
| 2.2.3 钙钛矿发光层材料 | 第31页 |
| 2.2.4 钙钛矿LED薄膜的制备 | 第31-32页 |
| 2.2.5 钙钛矿LED薄膜性能的表征方法 | 第32-37页 |
| 2.3 钙钛矿LED器件的制备和测试表征 | 第37-43页 |
| 2.3.1 三维钙钛矿LED的制备 | 第37-39页 |
| 2.3.2 准二维钙钛矿LED的制备 | 第39-41页 |
| 2.3.3 钙钛矿LED器件的测试表征 | 第41-43页 |
| 2.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第3章 两种钙钛矿LED性能的优化 | 第44-77页 |
| 3.1 引言 | 第44页 |
| 3.2 三维钙钛矿LED的性能优化 | 第44-52页 |
| 3.2.1 以ZnO为电子注入层LED的性能优化 | 第44-47页 |
| 3.2.2 以ZnMgO为电子传输层LED的性能优化 | 第47-50页 |
| 3.2.3 两种不同电子注入层LED的性能比较 | 第50-52页 |
| 3.3 准二维钙钛矿LED的性能优化 | 第52-75页 |
| 3.3.1 准二维钙钛矿材料的形成 | 第52-54页 |
| 3.3.2 空穴注入层的优化 | 第54-57页 |
| 3.3.3 电子注入层的优化 | 第57-59页 |
| 3.3.4 钙钛矿层的优化 | 第59-74页 |
| 3.3.4.1 膜厚的影响 | 第59-61页 |
| 3.3.4.2 退火工艺的探究 | 第61-64页 |
| 3.3.4.3 组分的探究 | 第64-74页 |
| 3.3.5 界面的修饰和处理 | 第74-75页 |
| 3.4 本章小结 | 第75-77页 |
| 第4章 钙钛矿LED稳定性的探究 | 第77-86页 |
| 4.1 引言 | 第77页 |
| 4.2 钙钛矿LED稳定性的测量方式 | 第77-79页 |
| 4.3 钙钛矿LED稳定性的探究 | 第79-85页 |
| 4.3.1 小分子MABr掺杂对钙钛矿稳定性的影响 | 第79-81页 |
| 4.3.2 PVP插入层对钙钛矿稳定性的影响 | 第81-82页 |
| 4.3.3 钙钛矿发光层厚度对钙钛矿稳定性的影响 | 第82-83页 |
| 4.3.4 改善器件稳定性的方案 | 第83-85页 |
| 4.4 本章小节 | 第85-86页 |
| 全文总结和展望 | 第86-88页 |
| 1.全文总结 | 第86-87页 |
| 2.展望 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-97页 |
| 附录 | 第97-98页 |
| 致谢 | 第98页 |