| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 1 绪论 | 第7-23页 |
| 1.1 微电子封装技术概述 | 第7-8页 |
| 1.2 微电子封装技术的发展趋势 | 第8-10页 |
| 1.2.1 电子封装的微型化趋势 | 第8-9页 |
| 1.2.2 绿色无铅化趋势 | 第9-10页 |
| 1.3 常见的PCB表面处理工艺 | 第10-12页 |
| 1.3.1 OSP处理 | 第11页 |
| 1.3.2 ENIG处理 | 第11-12页 |
| 1.3.3 ENEPIG处理 | 第12页 |
| 1.4 微型化带来的可靠性挑战—电迁移 | 第12-22页 |
| 1.4.1 电迁移的物理机制 | 第13页 |
| 1.4.2 原子扩散通量J | 第13-14页 |
| 1.4.3 微互连电迁移的研究现状 | 第14-17页 |
| 1.4.4 Sn晶粒取向对电迁移的影响 | 第17-19页 |
| 1.4.5 阴极界面IMC层对电迁移行为的影响 | 第19-22页 |
| 1.5 本论文研究目的和研究内容 | 第22-23页 |
| 1.5.1 本论文的研究目的 | 第22页 |
| 1.5.2 本论文的主要研究内容 | 第22-23页 |
| 2 实验材料与实验方法 | 第23-27页 |
| 2.1 线性焊点制备与电迁移实验测试 | 第23-25页 |
| 2.1.1 Cu/Sn/Ni线性焊点的制备 | 第23-25页 |
| 2.1.2 线性焊点原位电迁移实验 | 第25页 |
| 2.2 微观组织形貌的观察与表征 | 第25-27页 |
| 3 Sn晶粒取向对Cu/Sn/Ni线性焊点电迁移行为影响 | 第27-41页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 Cu/Sn/Ni线性焊点 | 第27-32页 |
| 3.3 分析讨论 | 第32-40页 |
| 3.3.1 Sn晶粒取向对阴极Ni基板溶解的影响 | 第32-35页 |
| 3.3.2 Sn晶粒取向对IMC聚集析出以及失效模式的影响 | 第35页 |
| 3.3.3 Ni、Cu不同基板作阴极时焊点电迁移行为的对比 | 第35-40页 |
| 3.4 本章结论 | 第40-41页 |
| 4 (Cu,Ni)_6Sn_5型IMC阻碍阴极Ni原子电迁移扩散行为 | 第41-51页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 Cu/Sn/Ni线性焊点 | 第41-47页 |
| 4.2.1 Cu/Sn/Ni线性焊点初始形貌 | 第41-42页 |
| 4.2.2 未时效焊点电迁移100h后微观组织形貌 | 第42-43页 |
| 4.2.3 时效焊点电迁移100h后微观组织的演变 | 第43-47页 |
| 4.3 (Cu,Ni)_6Sn_5阻碍电迁移扩散机制分析 | 第47-50页 |
| 4.4 本章结论 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
