| 学位论文数据集 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 符号说明 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-27页 |
| 1.1 研究背景 | 第14-15页 |
| 1.2 基于半导体材料的气敏传感器概述 | 第15-20页 |
| 1.2.1 氧化铟半导体气敏材料研究现状 | 第16-18页 |
| 1.2.2 氧化钨半导体气敏材料研究现状 | 第18-20页 |
| 1.3 半导体气敏材料的改性 | 第20-25页 |
| 1.3.1 气敏材料的组分改性研究 | 第21-22页 |
| 1.3.2 气敏材料的结构改性研究 | 第22-25页 |
| 1.4 本论文研究的目的意义和研究内容 | 第25-27页 |
| 1.4.1 本论文研究的目的意义 | 第25-26页 |
| 1.4.2 本论文的研究内容 | 第26-27页 |
| 第二章 氧化铟纳米砖的制备及低温检测NO_2气体性能的研究 | 第27-45页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 实验部分 | 第27-30页 |
| 2.2.1 实验药品与实验仪器 | 第27-28页 |
| 2.2.2 砖块状纳米氧化铟的制备 | 第28-29页 |
| 2.2.3 材料的表征方法 | 第29页 |
| 2.2.4 气敏元件的组装及气敏测试过程 | 第29-30页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第30-43页 |
| 2.3.1 前驱体形貌的调控 | 第30-33页 |
| 2.3.2 煅烧温度对氧化铟气敏性能的影响 | 第33-38页 |
| 2.3.3 400℃煅烧条件下的氧化铟样品的气敏性能 | 第38-42页 |
| 2.3.4 氧化铟纳米砖的气敏机理 | 第42-43页 |
| 2.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第三章 金负载氧化钨纳米材料的制备及其气敏性能研究 | 第45-62页 |
| 3.1 引言 | 第45-46页 |
| 3.2 实验部分 | 第46-48页 |
| 3.2.1 实验试剂与实验仪器 | 第46-47页 |
| 3.2.2 金负载氧化钨纳米材料的制备 | 第47页 |
| 3.2.3 WO_3材料以及Au修饰的WO_3纳米材料的表征方法 | 第47-48页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第48-61页 |
| 3.3.1 合成条件对氧化钨前驱体形貌与结构的影响 | 第48-52页 |
| 3.3.2 氧化钨样品负载前后晶体结构分析 | 第52-53页 |
| 3.3.3 氧化钨样品负载前后形貌分析 | 第53-54页 |
| 3.3.4 Au修饰的氧化钨样品气敏性能评价 | 第54-57页 |
| 3.3.5 Au修饰的WO_3材料的气敏机理研究 | 第57-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第71-72页 |
| 作者和导师简介 | 第72-73页 |
| 附件 | 第73-74页 |
