| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 过渡金属硫族化合物概述 | 第11-14页 |
| 1.2.1 MoS_2的结构、性质及应用前景 | 第11-13页 |
| 1.2.2 其他MX_2的性质及应用前景 | 第13-14页 |
| 1.3 插层化合物 | 第14-16页 |
| 1.3.1 插层化合物的结构及性质 | 第14-15页 |
| 1.3.2 聚硅烷的结构及性质 | 第15-16页 |
| 1.4 二维纳米异质结构 | 第16-18页 |
| 1.4.1 异质结构的性质及用途 | 第16-17页 |
| 1.4.2 硅烯的结构及用途 | 第17-18页 |
| 1.5 本文研究目的及内容 | 第18页 |
| 1.6 课题来源 | 第18-19页 |
| 第2章 理论基础与计算方法 | 第19-27页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 第一性原理 | 第19-20页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第20-24页 |
| 2.3.1 Thomas-Fermi-Dirac模型 | 第20-22页 |
| 2.3.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第22-23页 |
| 2.3.3 Kohn-Sham方程 | 第23-24页 |
| 2.4 非平衡格林函数 | 第24-26页 |
| 2.5 ATK程序包 | 第26-27页 |
| 第3章 PSi/MoS_2插层结构的电子结构的影响 | 第27-39页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 模型与计算方法 | 第27-29页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第29-38页 |
| 3.3.1 几何结构与稳定性 | 第29-30页 |
| 3.3.2 能带结构 | 第30-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 PSi/MoS_2插层结构的输运性质的研究 | 第39-45页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 模型与计算方法 | 第39-40页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第40-44页 |
| 4.3.1 I-V特性曲线 | 第40页 |
| 4.3.2 透射谱及电压降分析 | 第40-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第5章 SE/MX_2异质复合结构的电子结构及输运性质的研究 | 第45-60页 |
| 5.1 引言 | 第45页 |
| 5.2 模型与计算方法 | 第45-47页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第47-59页 |
| 5.3.1 几何结构和稳定性 | 第47-48页 |
| 5.3.2 能带结构 | 第48-53页 |
| 5.3.3 输运性质 | 第53-56页 |
| 5.3.4 光电流 | 第56-59页 |
| 5.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
