| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 硅烯结构及研究现状简介 | 第9-13页 |
| 1.1.1 硅烯的结构及基本性质 | 第9-11页 |
| 1.1.2 硅烯的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2 锡烯结构及研究现状简介 | 第13-16页 |
| 1.2.1 锡烯的结构及基本性质 | 第13-15页 |
| 1.2.2 锡烯的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.3 格林函数方法简介 | 第16-17页 |
| 1.4 本论文的研究内容及意义 | 第17-20页 |
| 第二章 电子结构和电导的计算方法-格林函数法 | 第20-32页 |
| 2.1 紧束缚模型 | 第20-24页 |
| 2.2 格林函数的求解-递归方法 | 第24-25页 |
| 2.3 表面格林函数 | 第25-27页 |
| 2.4 两终端机制的电导 | 第27-30页 |
| 2.5 三终端机制的电导 | 第30-32页 |
| 第三章 电场和交换场作用下完美自旋极化的实现 | 第32-48页 |
| 3.1 几何、交换场和电场对非对称T型硅纳米带的输运性能的影响 | 第32-38页 |
| 3.2 锡烯纳米带电子结构和输运的研究 | 第38-48页 |
| 3.2.1 反铁磁交换场和电场对锡烯纳米带电子结构和输运的影响 | 第41-44页 |
| 3.2.2 杂交交换场对锡烯纳米带电子结构和输运的影响 | 第44-48页 |
| 第四章 总结与展望 | 第48-49页 |
| Appendices | 第49-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 硕士期间发表文章 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
