| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第12-58页 |
| 1.1 场效应管栅压调控技术简介 | 第12-19页 |
| 1.2 电双层场效应管 | 第19-37页 |
| 1.2.1 栅介质 | 第20-27页 |
| 1.2.2 通道材料的制备 | 第27-31页 |
| 1.2.3 电双层场效应管的应用 | 第31-37页 |
| 1.3 固体离子导体基场效应管 | 第37-48页 |
| 1.3.1 质子导体基场效应管 | 第38页 |
| 1.3.2 氧离子导体基场效应管 | 第38-41页 |
| 1.3.3 锂离子导体基场效应管 | 第41-43页 |
| 1.3.4 钠离子导体基场效应管 | 第43-48页 |
| 参考文献 | 第48-58页 |
| 第2章 (Li,Fe)OHFeSe薄层中栅压调控的超导-绝缘体转变 | 第58-78页 |
| 2.1 引言 | 第58页 |
| 2.2 实验细节 | 第58-60页 |
| 2.3 实验结果及讨论 | 第60-64页 |
| 2.4 补充实验及讨论 | 第64-71页 |
| 2.4.1 栅压调控前样品的超导电性 | 第64-66页 |
| 2.4.2 (Li,Fe)OHFeSe器件调控的迟滞行为和可逆性 | 第66-67页 |
| 2.4.3 霍尔电阻R_(xy)温度和磁场依赖关系 | 第67-69页 |
| 2.4.4 (Li,Fe)OHFeSe样品XRD表征 | 第69-71页 |
| 2.4.5 (Li,Fe)OHFeSe样品栅压调控前后XRD和Raman谱 | 第71页 |
| 2.4.6 (Li,Fe)OHFeSe超导和绝缘样品的磁阻 | 第71页 |
| 2.5 本章小结 | 第71-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 第3章 FeSe薄层中电子掺杂诱导的高温超导电性 | 第78-96页 |
| 3.1 引言 | 第78页 |
| 3.2 实验细节 | 第78-79页 |
| 3.3 实验结果及讨论 | 第79-85页 |
| 3.4 补充实验及讨论 | 第85-92页 |
| 3.4.1 FeSe单晶的表征 | 第85-86页 |
| 3.4.2 FeSe薄层的厚度表征 | 第86页 |
| 3.4.3 栅压诱导的高T_c相 | 第86-88页 |
| 3.4.4 在栅压调控下样品霍尔电阻的演化 | 第88-92页 |
| 3.5 本章小结 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-96页 |
| 第4章 基于固体离子导体基场效应管的栅压调控FeSe薄层的超导和结构相变 | 第96-118页 |
| 4.1 引言 | 第96-97页 |
| 4.2 实验细节 | 第97-99页 |
| 4.2.1 器件制备 | 第97-98页 |
| 4.2.2 输运测量 | 第98页 |
| 4.2.3 原位XRD测量 | 第98页 |
| 4.2.4 原位XPS测量 | 第98-99页 |
| 4.2.5 原位XANES测量 | 第99页 |
| 4.2.6 确定插层锂离子的数量 | 第99页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第99-105页 |
| 4.4 补充实验及讨论 | 第105-112页 |
| 4.4.1 锂离子插层过程中霍尔电阻的演化 | 第105页 |
| 4.4.2 不同栅压调节方式得到最佳超导 | 第105-106页 |
| 4.4.3 FeSe薄层的原位XRD | 第106-108页 |
| 4.4.4 FeSe薄层的原位XPS | 第108-109页 |
| 4.4.5 FeSe薄层的原位XANES | 第109-111页 |
| 4.4.6 计算栅压调控下插入样品中锂离子的数量 | 第111-112页 |
| 4.5 本章小结 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-118页 |
| 致谢 | 第118-120页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第120-122页 |
