| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 SOI技术提出的背景 | 第11-12页 |
| 1.2 SOI材料制备技术 | 第12-14页 |
| 1.2.1 SIMOX技术 | 第12-13页 |
| 1.2.2 SDB技术 | 第13页 |
| 1.2.3 Smartcut技术 | 第13-14页 |
| 1.3 SOI LIGBT国内外研究现状和发展趋势 | 第14-17页 |
| 1.3.1 IGBT的提出 | 第14页 |
| 1.3.2 SOI LIGBT国内外研究现状 | 第14-17页 |
| 1.3.3 SOI LIGBT领域的发展趋势 | 第17页 |
| 1.4 本文主要研究工作和章节安排 | 第17-19页 |
| 第2章 SOI LIGBT的基础理论 | 第19-27页 |
| 2.1 SOI LIGBT的结构 | 第19-20页 |
| 2.2 SOI LIGBT的工作原理 | 第20-21页 |
| 2.3 SOI LIGBT的工作特性 | 第21-24页 |
| 2.3.1 静态特性 | 第21-22页 |
| 2.3.1.1 转移特性 | 第21页 |
| 2.3.1.2 输出特性 | 第21-22页 |
| 2.3.2 动态特性 | 第22-24页 |
| 2.4 闩锁效应 | 第24-25页 |
| 2.5 安全工作区 | 第25-26页 |
| 2.6 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 SOI LIGBT器件的设计原理与方法 | 第27-37页 |
| 3.1 阈值电压模型与设计 | 第27-28页 |
| 3.2 击穿电压模型与设计 | 第28-32页 |
| 3.2.1 场板原理 | 第28-30页 |
| 3.2.2 SOI的RESURF原理 | 第30-32页 |
| 3.3 通态电阻模型与设计 | 第32-34页 |
| 3.4 闩锁效应模型与设计 | 第34-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 槽栅双单元SOI LIGBT器件新结构 | 第37-58页 |
| 4.1 TG DC SOI LIGBT器件设计 | 第37-39页 |
| 4.2 仿真设计工具 | 第39-40页 |
| 4.3 TG DC SOI LIGBT器件优化设计与仿真分析 | 第40-50页 |
| 4.3.1 击穿电压的优化设计 | 第40-45页 |
| 4.3.1.1 漂移区浓度对耐压的影响 | 第40-42页 |
| 4.3.1.2 埋氧层厚度对耐压的影响 | 第42-44页 |
| 4.3.1.3 源极场板对耐压的影响 | 第44-45页 |
| 4.3.2 阈值电压的优化设计 | 第45-46页 |
| 4.3.3 通态电流的优化设计 | 第46-47页 |
| 4.3.4 关断特性的优化设计 | 第47-49页 |
| 4.3.5 闩锁特性的优化设计 | 第49-50页 |
| 4.4 电学性能仿真对比 | 第50-55页 |
| 4.4.1 通态特性仿真与对比分析 | 第50-52页 |
| 4.4.2 正向阻断态击穿电压仿真与对比分析 | 第52-53页 |
| 4.4.3 转移特性仿真与对比分析 | 第53-54页 |
| 4.4.4 关断时间仿真与对比分析 | 第54页 |
| 4.4.5 闩锁特性仿真与对比分析 | 第54-55页 |
| 4.5 TG DC SOI LIGBT器件的温度特性 | 第55-56页 |
| 4.5.1 温度对正向阻断态击穿电压的影响 | 第55页 |
| 4.5.2 温度对转移特性曲线的影响 | 第55-56页 |
| 4.5.3 温度对通态特性的影响 | 第56页 |
| 4.6 本章小结 | 第56-58页 |
| 第5章 TG DC SOI LIGBT的工艺分析与版图设计 | 第58-66页 |
| 5.1 TG DC SOI LIGBT工艺流程 | 第58-59页 |
| 5.2 版图设计 | 第59-65页 |
| 5.2.1 器件单元版图绘制 | 第59-62页 |
| 5.2.1.1 版图层次定义 | 第59-60页 |
| 5.2.1.2 设计要点 | 第60-62页 |
| 5.2.2 布局布线 | 第62-63页 |
| 5.2.3 版图后仿真 | 第63-65页 |
| 5.3 本章小结 | 第65-66页 |
| 第6章 总结和展望 | 第66-68页 |
| 6.1 总结 | 第66-67页 |
| 6.2 展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 附录 | 第73页 |
