| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstact | 第6-7页 |
| 第一章 前言 | 第12-36页 |
| 1.1 钯催化偶联反应研究进展 | 第12-13页 |
| 1.2 均相钯催化剂研究进展 | 第13-19页 |
| 1.2.1 钯盐类催化剂 | 第13页 |
| 1.2.2 含有机膦配体类钯催化剂 | 第13-15页 |
| 1.2.3 含N-杂环卡宾配体类钯催化剂 | 第15-16页 |
| 1.2.4 环钯类钯催化剂 | 第16-19页 |
| 1.3 非均相钯催化剂研究进展 | 第19-28页 |
| 1.3.1 活性炭负载金属钯催化剂 | 第19-21页 |
| 1.3.2 金属氧化物负载金属钯催化剂 | 第21-23页 |
| 1.3.3 有机聚合物负载金属钯催化剂 | 第23-24页 |
| 1.3.4 纳米材料负载金属钯催化剂 | 第24-26页 |
| 1.3.5 硅负载金属钯催化剂 | 第26-28页 |
| 1.4 化学自组装膜的研究进展 | 第28-34页 |
| 1.4.1 化学自组装膜的结构与成膜机理 | 第29-30页 |
| 1.4.2 化学自组装膜的制备与应用 | 第30-34页 |
| 1.5 课题的提出 | 第34-36页 |
| 第二章 两亲性芳香亚胺环钯化合物的合成及表征 | 第36-47页 |
| 2.1 化合物合成路线示意图 | 第36页 |
| 2.2 芳香亚胺环钯化合物的合成及表征 | 第36-44页 |
| 2.2.1 两亲性芳香亚胺的合成及表征 | 第36-37页 |
| 2.2.2 烯丙基化的芳香亚胺合成及表征 | 第37-38页 |
| 2.2.3 烯丙基化的芳香亚胺环钯二聚体的合成及表征 | 第38-39页 |
| 2.2.4 烯丙基化的芳香亚胺环钯单体的合成及表征 | 第39-40页 |
| 2.2.5 烯丙基化的芳香亚胺环钯单体(4b-c)的单晶结构 | 第40-44页 |
| 2.3 实验部分 | 第44-46页 |
| 2.3.1 测试仪器 | 第44-45页 |
| 2.3.2 溶剂及药品的处理 | 第45-46页 |
| 2.4 小结 | 第46-47页 |
| 第三章 两亲性芳香亚胺环钯单体自组装膜的制备、表征及其催化性能的研究 | 第47-76页 |
| 3.1 表面活性氢引发的自组装单层膜的研究背景 | 第47页 |
| 3.2 表面活性氢引发自组装单层膜的制备过程 | 第47-48页 |
| 3.2.1 制备路线 | 第47-48页 |
| 3.2.2 Si表面羟基化处理 | 第48页 |
| 3.2.3 Si表面疏水处理 | 第48页 |
| 3.2.4 Si表面催化剂单层膜制备 | 第48页 |
| 3.3 表面活性氢引发自组装单层膜的表征 | 第48-57页 |
| 3.3.1 制备自组装单层膜过程中的接触角 | 第48-50页 |
| 3.3.2 制备自组装单层膜过程中的表面形貌 | 第50-53页 |
| 3.3.3 制备自组装单层膜过程中的X射线光电子能谱 | 第53-54页 |
| 3.3.4 制备自组装单层膜过程中的拉曼光谱 | 第54-56页 |
| 3.3.5 制备自组装单层膜过程中的原子吸收光谱 | 第56-57页 |
| 3.4 表面活性氢引发自组装薄膜催化Sonogashira反应研究 | 第57-74页 |
| 3.4.1 Sonogashira反应概述 | 第57-58页 |
| 3.4.2 催化剂自组装薄膜Si-4a催化Sonogashira反应条件的筛选 | 第58-61页 |
| 3.4.3 催化剂自组装薄膜Si-4a异相催化与均相催化性能反应对比 | 第61-63页 |
| 3.4.4 催化剂自组装薄膜Si-4a催化Sonogashira反应的循环使用 | 第63页 |
| 3.4.5 催化剂自组装薄膜Si-4a催化Sonogashira反应底物拓展 | 第63-66页 |
| 3.4.6 催化剂自组装薄膜Si-4b和Si-4c催化Sonogashira反应条件的筛选 | 第66-67页 |
| 3.4.7 催化剂自组装薄膜Si-4b和Si-4c催化Sonogashira反应的循环使用 | 第67-70页 |
| 3.4.8 催化剂自组装薄膜Si-4a异相催化Sonogashira反应机理的初步探究 | 第70-74页 |
| 3.5 实验部分 | 第74页 |
| 3.5.1 测试仪器 | 第74页 |
| 3.5.2 溶剂及药品处理 | 第74页 |
| 3.5.3 自组装薄膜催化Sonogashira反应的一般步骤 | 第74页 |
| 3.6 小结 | 第74-76页 |
| 总结论 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 附图 | 第83-97页 |
| 致谢 | 第97页 |
