| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 引言 | 第9-19页 |
| 1.1 光伏发电原理、历史及现状 | 第10-12页 |
| 1.2 太阳能电池主要分类 | 第12-15页 |
| 1.3 HIT电池简介 | 第15-17页 |
| 1.3.1 HIT电池结构及其特点 | 第15-16页 |
| 1.3.2 HIT电池发展历程 | 第16-17页 |
| 1.4 论文主要内容 | 第17-19页 |
| 2 实验设备与表征方法 | 第19-31页 |
| 2.1 实验设备 | 第19-24页 |
| 2.1.1 等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备 | 第19-21页 |
| 2.1.2 磁控溅射仪 | 第21-23页 |
| 2.1.3 高真空蒸发镀膜机 | 第23-24页 |
| 2.2 测试设备 | 第24-30页 |
| 2.2.1 使用椭圆偏光仪测试薄膜厚度 | 第24-25页 |
| 2.2.2 利用拉曼散射光谱仪测试薄膜的结晶状况 | 第25-26页 |
| 2.2.3 利用半导体电阻测试仪测试薄膜的电学性能 | 第26页 |
| 2.2.4 利用太阳能电池测试仪测试电池性能 | 第26-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 3 对n型微晶硅薄膜和P型硅衬底异质结电池优化的研究 | 第31-52页 |
| 3.1 n型微晶硅薄膜的优化 | 第31-42页 |
| 3.1.1 硅烷浓度对n型μ-Si:H薄膜性能的影响 | 第31-33页 |
| 3.1.2 磷烷掺杂比例对n型μ-Si:H薄膜性能的影响 | 第33-36页 |
| 3.1.3 辉光功率对n型μ-Si:H薄膜性能的影响 | 第36-39页 |
| 3.1.4 衬底温度对n型μ-Si:H薄膜性能的影响 | 第39-42页 |
| 3.2 n-μ-Si:H/c-Si异质结电池的制备与优化 | 第42-51页 |
| 3.2.1 硅片的清洗过程 | 第42-43页 |
| 3.2.2 实验过程 | 第43页 |
| 3.2.3 硅烷浓度对电池性能的影响 | 第43-45页 |
| 3.2.4 磷烷掺杂比例对电池性能的影响 | 第45-47页 |
| 3.2.5 辉光功率对电池性能的影响 | 第47-48页 |
| 3.2.6 衬底温度对电池性能的影响 | 第48-51页 |
| 3.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 4 氢气环境下退火本征非晶硅层对HIT电池性能的影响 | 第52-59页 |
| 4.1 退火温度对HIT电池性能的影响 | 第54-55页 |
| 4.2 退火时间对HIT电池性能的影响 | 第55-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-59页 |
| 5 主要结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 个人简历 | 第65页 |
| 硕士期间发表论文 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
