| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 前言 | 第12页 |
| 1.2 红外探测概述 | 第12-16页 |
| 1.2.1 红外探测简介 | 第12-13页 |
| 1.2.2 红外探测技术的应用 | 第13-14页 |
| 1.2.3 红外探测器的分类 | 第14-16页 |
| 1.3 红外探测材料的介绍 | 第16-18页 |
| 1.3.1 碲镉汞材料 | 第17页 |
| 1.3.2 砷化镓材料 | 第17-18页 |
| 1.3.3 超晶格材料 | 第18页 |
| 1.4 硒镉汞材料的研究现状 | 第18-21页 |
| 1.4.1 实验研究和理论研究 | 第18-20页 |
| 1.4.2 应用前景 | 第20-21页 |
| 1.5 本文的选题思路和主要研究内容 | 第21-24页 |
| 第二章 第一性原理计算概述 | 第24-32页 |
| 2.1 关于第一性原理 | 第24-25页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第25-30页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Khon定理 | 第26-27页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第27-28页 |
| 2.2.3 交换关联泛函 | 第28-29页 |
| 2.2.4 赝势 | 第29-30页 |
| 2.2.5 密度泛函理论的优点和不足 | 第30页 |
| 2.3 MaterialsStudio软件及CASTEP模块 | 第30-32页 |
| 第三章 HgSe和CdSe电子结构和光学性质的理论研究 | 第32-48页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 建模与计算方法 | 第33-34页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第34-45页 |
| 3.3.1 晶体结构 | 第34-35页 |
| 3.3.2 电子结构 | 第35-41页 |
| 3.3.3 光学性质 | 第41-45页 |
| 3.4 本征HgSe和CdSe的声子谱 | 第45-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 Hg_(1-x)Cd_xSe电子结构和光学性质的理论研究 | 第48-70页 |
| 4.1 引言 | 第48-49页 |
| 4.2 计算方法与模型 | 第49-51页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第51-68页 |
| 4.3.1 晶体结构 | 第51-52页 |
| 4.3.2 形成能与稳定性 | 第52-55页 |
| 4.3.3 电子结构 | 第55-62页 |
| 4.3.4 布居分析与差分电荷密度 | 第62-65页 |
| 4.3.5 光学性质 | 第65-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 结论与展望 | 第70-72页 |
| 5.1 主要结论 | 第70-71页 |
| 5.2 本文创新性 | 第71页 |
| 5.3 展望 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-82页 |
| 附录A：攻读硕士学位期间发表论文和专利 | 第82-84页 |
| 附录B：参与的科研项目 | 第84页 |
