| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9-13页 |
| 1.1.1 高效晶体硅太阳电池 | 第9-10页 |
| 1.1.2 异质结太阳电池 | 第10-13页 |
| 1.2 非晶硅薄膜 | 第13-16页 |
| 1.2.1 非晶硅薄膜的结构特性 | 第13-14页 |
| 1.2.2 常用的制备方法 | 第14-16页 |
| 1.3 非晶硅薄膜的国内外研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4 论文的主要内容和架构 | 第17-19页 |
| 第二章 基于温和等离子体的非晶硅薄膜制备与表征技术 | 第19-28页 |
| 2.1 温和等离子体沉积系统 | 第19-22页 |
| 2.1.1 结构 | 第19页 |
| 2.1.2 原理与先进性 | 第19-20页 |
| 2.1.3 操作流程 | 第20-22页 |
| 2.2 非晶硅薄膜的表征技术 | 第22-27页 |
| 2.2.1 少子寿命测试仪 | 第22-23页 |
| 2.2.2 拉曼光谱仪 | 第23-24页 |
| 2.2.3 椭圆偏振光谱仪 | 第24-25页 |
| 2.2.4 傅里叶变换红外光谱仪 | 第25-26页 |
| 2.2.5 扫描电子显微镜 | 第26-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 制备工艺对非晶硅薄膜微结构的影响 | 第28-43页 |
| 3.1 引言 | 第28-29页 |
| 3.1.1 氢含量 | 第28-29页 |
| 3.1.2 微结构因子 | 第29页 |
| 3.2 非晶硅薄膜样品的制备 | 第29-30页 |
| 3.2.1 衬底样品的选择 | 第29-30页 |
| 3.2.2 薄膜样品的制备 | 第30页 |
| 3.3 制备工艺参数对非晶硅薄膜微结构的影响 | 第30-42页 |
| 3.3.1 沉积气压 | 第30-34页 |
| 3.3.2 沉积功率 | 第34-36页 |
| 3.3.3 沉积温度 | 第36-39页 |
| 3.3.4 氢气硅烷流量比 | 第39-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 制备工艺对非晶硅薄膜钝化性能的影响 | 第43-52页 |
| 4.1 引言 | 第43-44页 |
| 4.1.1 少子寿命与开路电压 | 第43页 |
| 4.1.2 表面复合速度 | 第43-44页 |
| 4.2 制备工艺参数对非晶硅薄膜钝化性能的影响 | 第44-50页 |
| 4.2.1 沉积气压 | 第44-46页 |
| 4.2.2 沉积功率 | 第46-48页 |
| 4.2.3 沉积温度 | 第48-49页 |
| 4.2.4 氢气硅烷流量比 | 第49-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 总结 | 第52-53页 |
| 5.2 展望 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 附录:作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第59页 |