| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第14-27页 |
| 1.1 引言 | 第14页 |
| 1.2 热电材料的历史发展 | 第14-15页 |
| 1.3 热电效应及其应用 | 第15-17页 |
| 1.3.1 Seebeck效应 | 第15-16页 |
| 1.3.2 Peltier效应 | 第16页 |
| 1.3.3 Thomson效应 | 第16-17页 |
| 1.3.4 热电器件 | 第17页 |
| 1.4 热电优值及其优化 | 第17-20页 |
| 1.4.1 材料的热电优值 | 第18页 |
| 1.4.2 热电优值的优化 | 第18-20页 |
| 1.4.2.1 优化功率因子(S2σ) | 第18-19页 |
| 1.4.2.2 优化热导率(Κ) | 第19-20页 |
| 1.5 热电材料的研究进展 | 第20-25页 |
| 1.5.1 Bi_2Te_3基热电材料 | 第20-23页 |
| 1.5.2 其他类型热电材料 | 第23-24页 |
| 1.5.3 热电薄膜材料 | 第24-25页 |
| 1.6 课题来源及主要研究内容 | 第25-27页 |
| 1.6.1 课题来源 | 第25-26页 |
| 1.6.2 主要研究内容 | 第26-27页 |
| 第二章 薄膜的制备及测试表征方法 | 第27-35页 |
| 2.1 薄膜的制备 | 第27-30页 |
| 2.1.1 热蒸发法镀膜的基本原理 | 第28-29页 |
| 2.1.2 衬底的选择与处理 | 第29页 |
| 2.1.3 实验步骤 | 第29-30页 |
| 2.2 薄膜的测试表征方法 | 第30-35页 |
| 2.2.1 薄膜的结构分析 | 第30-32页 |
| 2.2.2 薄膜的热电性能分析 | 第32-35页 |
| 第三章 Bi_4Te_3纳米柱阵列膜的制备及其电学性能研究 | 第35-42页 |
| 3.1 薄膜的制备 | 第35页 |
| 3.2 薄膜的结构分析 | 第35-37页 |
| 3.2.1 X射线衍射分析 | 第35-37页 |
| 3.2.2 扫描电镜分析 | 第37页 |
| 3.3 薄膜的生长行为分析 | 第37-39页 |
| 3.4 薄膜的热电性能分析 | 第39-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 Bi_(2-x)Sb_xTe_3纳米柱阵列膜的制备及电学性质 | 第42-52页 |
| 4.1 薄膜的制备 | 第42-43页 |
| 4.2 薄膜的结构分析 | 第43-48页 |
| 4.2.1 扫描电镜及EDSmapping分析 | 第43-46页 |
| 4.2.2 X射线衍射分析 | 第46-47页 |
| 4.2.3 XPS分析 | 第47-48页 |
| 4.3 薄膜的热电性能分析 | 第48-51页 |
| 4.3.1 Hall效应分析 | 第48页 |
| 4.3.2 热电性能分析 | 第48-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 结论与展望 | 第52-54页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-64页 |
| 在学期间取得的学术成果 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66页 |