| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 太阳能光催化简介 | 第11页 |
| 1.2 半导体光催化作用原理 | 第11-13页 |
| 1.3 光催化半导体材料的发展 | 第13-17页 |
| 1.3.1 紫外光响应的光催化剂 | 第13-14页 |
| 1.3.2 可见光响应的光催化剂 | 第14-15页 |
| 1.3.3 La_2TiO_5为前驱体制备的LaTiO_2N | 第15-16页 |
| 1.3.4 LaNbON | 第16-17页 |
| 1.4 本课题的研究意义及内容 | 第17-18页 |
| 第二章 实验材料与方法 | 第18-22页 |
| 2.1 实验试剂及设备 | 第18-19页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第18页 |
| 2.1.2 实验设备及应用 | 第18-19页 |
| 2.2 材料合成方法 | 第19-20页 |
| 2.2.1 熔盐合成法 | 第19-20页 |
| 2.2.2 高温氨解法 | 第20页 |
| 2.2.3 水热法 | 第20页 |
| 2.3 退火处理 | 第20页 |
| 2.4 助催化剂 | 第20-22页 |
| 第三章 以La_2TiO_5为前驱体制备的LaTiO_2N光催化氧化水材料的活性研究 | 第22-34页 |
| 3.1 LaTiO_2N半导体光催化剂的制备 | 第22-23页 |
| 3.1.1 LaTiO_2N的制备 | 第22页 |
| 3.1.2 LaTiO_2N的退火处理 | 第22页 |
| 3.1.3 助催化剂担载 | 第22-23页 |
| 3.2 LaTiO_2N光催化材料表征结果与分析 | 第23-30页 |
| 3.2.1 XRD分析 | 第23-25页 |
| 3.2.2 Roman光谱分析 | 第25-26页 |
| 3.2.3 SEM分析 | 第26页 |
| 3.2.4 UV-VIS分析 | 第26-27页 |
| 3.2.5 EPR分析 | 第27-28页 |
| 3.2.6 Mott-Schotky分析 | 第28-29页 |
| 3.2.7 VB-XPS分析 | 第29-30页 |
| 3.3 LaTiO_2N光催化氧化水 | 第30-32页 |
| 3.3.1 实验部分 | 第30-31页 |
| 3.3.2 光催化氧化水结果分析 | 第31-32页 |
| 本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 不同金属计量比前驱体氨解热法制备LaNbON_2半导体 | 第34-44页 |
| 4.1 氧化物前驱体LaNbO_4和La_3NbO_7的制备 | 第34页 |
| 4.2 LaNbO_4和La_3NbO_7的Mulliken电荷计算 | 第34页 |
| 4.3 LaNbON_2光催化材料制备 | 第34页 |
| 4.4 表征结果与分析 | 第34-42页 |
| 4.4.1 Mulliken原子数量分析 | 第34-37页 |
| 4.4.2 XRD分析 | 第37-38页 |
| 4.4.3 SEM分析 | 第38-39页 |
| 4.4.4 氮气物理吸附分析 | 第39-41页 |
| 4.4.5 UV-Vis-NIRDRS和热重分析 | 第41-42页 |
| 本章小结 | 第42-44页 |
| 第五章 LaNbON_2半导体光催化氧化水研究 | 第44-51页 |
| 5.1 LaNbON_2半导体光催化剂的制备 | 第44页 |
| 5.1.1 LaNbON_2的制备 | 第44页 |
| 5.1.2 LaNbON_2的退火处理 | 第44页 |
| 5.1.3 助催化剂担载 | 第44页 |
| 5.2 LaNbON_2光催化材料表征结果与分析 | 第44-49页 |
| 5.2.1 XRD分析 | 第44-45页 |
| 5.2.2 EPR分析 | 第45-46页 |
| 5.2.3 SEM分析 | 第46-47页 |
| 5.2.4 UV-Vis-DRS分析 | 第47-48页 |
| 5.2.5 VB-XPS分析 | 第48-49页 |
| 5.3 LaNbON_2光催化氧化水 | 第49-50页 |
| 5.3.1 实验部分 | 第49页 |
| 5.3.2 结果分析 | 第49-50页 |
| 本章小结 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
