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基于二次电光效应的电控全息光开关的研究

摘要第1-13页
Abstract第13-15页
第一章 绪论第15-39页
 §1.1 研究背景第15-23页
     ·光互连与光交换第15-20页
     ·全息光开关第20-23页
 §1.2 国内外研究现状第23-36页
     ·光互连与光交换技术的进展第23-26页
     ·体全息存储与热固定技术的进展第26-33页
     ·电控全息光开关器件的研究进展第33-36页
 §1.3 论文的主要研究内容及创新点第36-39页
第二章 电控全息光开关的技术原理第39-51页
 §2.1 光折变效应第39-42页
 §2.2 克尔电光效应第42-45页
 §2.3 布拉格衍射与电控全息技术第45-49页
     ·体全息存储与布拉格衍射第45-48页
     ·电控全息技术第48-49页
 §2.4 本章小结第49-51页
第三章 体全息相位光栅的记录与再现第51-74页
 §3.1 存储介质第51-56页
     ·晶体的选择第51-54页
     ·晶体的加工第54-56页
 §3.2 顺电相KLTN 晶体中体全息光栅的衍射效率分析第56-63页
     ·反射型体全息相位光栅的衍射效率第57-60页
     ·透射型体全息相位光栅的衍射效率第60-63页
 §3.3 亚微米体全息相位栅的记录实验第63-70页
     ·实验装置第63-65页
     ·亚微米体全息光栅的写入第65-70页
 §3.4 体全息相位栅的再现实验第70-72页
     ·衍射效率的测量第70-72页
     ·衍射效率与读出角的关系第72页
 §3.5 本章小结第72-74页
第四章 体全息相位光栅的热固定研究第74-94页
 §4.1 热固定的动力学方程第74-75页
 §4.2 耦合波理论第75-78页
 §4.3 体全息相位栅热固定过程的数值模拟第78-85页
     ·FlexPDE 程序简介第78-79页
     ·基于FlexPDE 研究大调制度体全息光栅的形成第79-85页
 §4.4 体全息相位栅的热固定寿命第85-90页
     ·离子栅寿命的理论模型第86-87页
     ·光栅间距对离子栅寿命的影响第87-88页
     ·离子栅寿命对温度的依赖关系第88-89页
     ·离子栅寿命对离子浓度的依赖关系第89页
     ·对理论模型的讨论第89-90页
 §4.5 体全息相位栅的热固定实验第90-92页
 §4.6 本章小结第92-94页
第五章 电控全息光开关的时间响应特性第94-101页
 §5.1 电控全息光开关的延时分析第94页
 §5.2 电控全息时间响应的物理机制第94-95页
 §5.3 电控全息光开关实验系统的交换速度第95-99页
     ·测量方法第95-96页
     ·实验结果第96-98页
     ·讨论第98-99页
 §5.4 本章小结第99-101页
第六章 电控全息光开关的控制系统第101-111页
 §6.1 电控全息光开关控制信号发生器的设计第101-105页
     ·雪崩三极管的电触发导通与过压击穿导通第101-103页
     ·Marx 级联电路第103-104页
     ·高速高压脉冲信号发生器的设计第104-105页
 §6.2 控制信号发生器的电路仿真第105-108页
     ·PSPICE 软件介绍第105-107页
     ·电路仿真结果第107-108页
 §6.3 光开关系统的集成设计第108-109页
 §6.4 本章小结第109-111页
第七章 结论与展望第111-114页
 §7.1 论文研究工作总结第111-112页
 §7.2 论文研究的意义与展望第112-114页
致谢第114-116页
参考文献第116-128页
作者在学期间取得的学术成果第128页

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