| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| 1.1 聚四氟乙烯简介 | 第8-10页 |
| 1.1.1 聚四氟乙烯的优缺点 | 第8-9页 |
| 1.1.2 聚四氟乙烯的表面改性 | 第9-10页 |
| 1.2 等离子体简介 | 第10-11页 |
| 1.2.1 等离子体的基本概念 | 第10-11页 |
| 1.2.2 等离子体的分类 | 第11页 |
| 1.3 等离子体的产生方法 | 第11-13页 |
| 1.4 等离子体的应用 | 第13页 |
| 1.5 等离子体表面处理 | 第13-15页 |
| 1.6 等离子体表面改性 | 第15-20页 |
| 1.6.1 等离子体表面改性的原理和效果 | 第15-16页 |
| 1.6.2 等离子体改性效果的影响因素 | 第16-19页 |
| 1.6.3 等离子体表面改性的时效性 | 第19-20页 |
| 1.7 等离子体接枝共聚 | 第20-21页 |
| 1.8 弱等离子体 | 第21-22页 |
| 1.9 等离子体技术的优势及存在的问题 | 第22-23页 |
| 1.10 本课题的研究意义和研究思路 | 第23-24页 |
| 第二章 氩气等离子体对聚四氟乙烯的表面改性 | 第24-51页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 实验部分 | 第24-27页 |
| 2.2.1 实验原料及试剂 | 第24-25页 |
| 2.2.2 实验仪器及设备 | 第25-26页 |
| 2.2.3 原料及试剂的预处理 | 第26页 |
| 2.2.4 实验过程 | 第26-27页 |
| 2.3 产物的测试与表征 | 第27-28页 |
| 2.3.1 表面接触角测量 | 第27页 |
| 2.3.2 红外光谱分析（ATR-FTIR） | 第27页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱分析（XPS） | 第27页 |
| 2.3.4 扫描电子显微镜（SEM） | 第27-28页 |
| 2.4 实验结果与讨论 | 第28-50页 |
| 2.4.1 接触角与处理条件的关系 | 第28-34页 |
| 2.4.2 接触角滞后 | 第34-35页 |
| 2.4.3 接触角时效性 | 第35-38页 |
| 2.4.4 表面能与处理条件的关系 | 第38-41页 |
| 2.4.5 等离子体处理后的表面活性 | 第41-45页 |
| 2.4.6 表面刻蚀情况 | 第45-47页 |
| 2.4.7 表面红外分析 | 第47-48页 |
| 2.4.8 表面XPS分析 | 第48-50页 |
| 2.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第三章 苯乙烯在聚四氟乙烯表面的接枝共聚 | 第51-61页 |
| 3.1 引言 | 第51页 |
| 3.2 实验部分 | 第51-52页 |
| 3.2.1 实验试剂及预处理 | 第51页 |
| 3.2.2 实验过程 | 第51-52页 |
| 3.3 产物的测试与表征 | 第52页 |
| 3.3.1 红外光谱分析（ATR-FTIR） | 第52页 |
| 3.3.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第52页 |
| 3.3.3 称重 | 第52页 |
| 3.4 实验结果与讨论 | 第52-60页 |
| 3.4.1 苯乙烯在聚四氟乙烯表面接枝的原理分析 | 第52-54页 |
| 3.4.2 样片接枝后的表面形貌 | 第54-56页 |
| 3.4.3 表面红外分析 | 第56-57页 |
| 3.4.4 表面接枝率 | 第57-60页 |
| 3.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 甲基丙烯酸缩水甘油酯在聚四氟乙烯表面的接枝共聚 | 第61-78页 |
| 4.1 引言 | 第61页 |
| 4.2 实验部分 | 第61-63页 |
| 4.2.1 实验原料及预处理 | 第61-62页 |
| 4.2.2 实验过程 | 第62-63页 |
| 4.3 产物的测试与表征 | 第63页 |
| 4.3.1 红外光谱分析 | 第63页 |
| 4.3.2 X射线光电子能谱分析 | 第63页 |
| 4.3.3 扫描电子显微镜 | 第63页 |
| 4.3.4 粘结性能测试 | 第63页 |
| 4.3.5 表面电阻率的测定 | 第63页 |
| 4.4 实验结果与讨论 | 第63-77页 |
| 4.4.1 甲基丙烯酸缩水甘油酯在聚四氟乙烯表面的接枝情况 | 第63-70页 |
| 4.4.2 粘结性能分析 | 第70-71页 |
| 4.4.3 表面接枝导电聚合物 | 第71-77页 |
| 4.5 本章小结 | 第77-78页 |
| 第五章 全文总结 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 致谢 | 第84页 |