| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 引言 | 第10-15页 |
| 1.1 多晶Si 薄膜在太阳电池中的应用 | 第10-11页 |
| 1.2 多晶Si 薄膜的制备方法 | 第11-12页 |
| 1.2.1 常压化学气相沉积（APCVD） | 第11-12页 |
| 1.2.2 低压化学气相沉积（LPCVD） | 第12页 |
| 1.2.3 等离子体增强化学汽相淀积（PECVD） | 第12页 |
| 1.2.4 固相晶化（SPC） | 第12页 |
| 1.3 多晶Si 薄膜的掺杂方法 | 第12-13页 |
| 1.3.1 高温扩散掺杂 | 第13页 |
| 1.3.2 离子注入 | 第13页 |
| 1.3.3 原位掺杂 | 第13页 |
| 1.4 本课题的研究内容 | 第13-15页 |
| 第2章 实验方法与结构表征 | 第15-19页 |
| 2.1 多晶Si 薄膜的生长与掺杂方法 | 第15-17页 |
| 2.1.1 HFCVD 实验装置 | 第15页 |
| 2.1.2 LPCVD 实验装置 | 第15-16页 |
| 2.1.3 高温扩散炉 | 第16-17页 |
| 2.2 多晶Si 薄膜的检测方法 | 第17-19页 |
| 2.2.1 α-台阶仪（alpha-step200） | 第17页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第17页 |
| 2.2.3 X-射线单晶衍射仪（XRD） | 第17-18页 |
| 2.2.4 四探针测试仪 | 第18-19页 |
| 第3章 石英衬底上多晶Si 薄膜的生长 | 第19-31页 |
| 3.1 HFCVD 工艺生长多晶Si 薄膜 | 第19-26页 |
| 3.1.1 工艺条件对生长速率的影响 | 第19-23页 |
| 3.1.1.1 衬底温度 | 第20-21页 |
| 3.1.1.2 反应气体浓度 | 第21-22页 |
| 3.1.1.3 反应压强 | 第22-23页 |
| 3.1.2 工艺条件对结晶质量的影响 | 第23-26页 |
| 3.1.2.1 不同衬底对薄膜结晶生长的影响 | 第23-25页 |
| 3.1.2.2 生长温度对薄膜结晶质量的影响 | 第25-26页 |
| 3.2 LPCVD 工艺生长多晶Si 薄膜 | 第26-31页 |
| 3.2.1 工艺条件对生长速率的影响 | 第27-29页 |
| 3.2.1.1 衬底温度 | 第27页 |
| 3.2.1.2 反应气体浓度 | 第27-28页 |
| 3.2.1.3 沉积时间 | 第28-29页 |
| 3.2.2 工艺条件对结晶质量的影响 | 第29-31页 |
| 第4章 掺杂多晶Si 薄膜的结构和电学特性 | 第31-44页 |
| 4.1 多晶SI 薄膜的B 掺杂机理探讨 | 第31-32页 |
| 4.1.1 后扩散掺杂 | 第31-32页 |
| 4.1.2 原位掺杂 | 第32页 |
| 4.2 后扩散掺杂多晶Si 薄膜 | 第32-36页 |
| 4.2.1 结构形貌 | 第32-34页 |
| 4.2.2 电学特性 | 第34-36页 |
| 4.3 原位掺杂多晶Si 薄膜 | 第36-44页 |
| 4.3.1 生长形貌 | 第36-39页 |
| 4.3.1.1 杂质对生长的影响 | 第37-38页 |
| 4.3.1.2 温度对生长的影响 | 第38-39页 |
| 4.3.2 电学特性 | 第39-41页 |
| 4.3.2.1 生长温度 | 第39-40页 |
| 4.3.2.2 后退火温度和时间 | 第40-41页 |
| 4.3.3 Hall 测量 | 第41-44页 |
| 第5章 多晶Si 薄膜光学特性 | 第44-46页 |
| 5.1 多晶Si 薄膜光反射特性 | 第44-46页 |
| 第6章 结论 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 硕士研究生在读期间发表的论文 | 第52页 |