摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第一章 绪论 | 第8-18页 |
1.1 引言 | 第8页 |
1.2 电致发光(EL)器件的发展及应用 | 第8-11页 |
1.2.1 无机薄膜电致发光的发展及应用 | 第9-10页 |
1.2.2 有机薄膜电致发光的发展及应用 | 第10-11页 |
1.3 量子点的概述及应用 | 第11-14页 |
1.3.1 量子点的概述 | 第11页 |
1.3.2 量子点的应用 | 第11-14页 |
1.4 有机与无机电致发光的机理 | 第14-16页 |
1.4.1 无机薄膜电致发光的机理 | 第14页 |
1.4.2 有机薄膜电致发光的机理 | 第14-15页 |
1.4.3 有机无机复合电致发光的机理 | 第15-16页 |
1.5 本文的研究内容及意义 | 第16-18页 |
1.5.1 本文研究的主要内容 | 第16-17页 |
1.5.2 本文的研究意义 | 第17-18页 |
第二章 器件制备的相关仪器及表征仪器 | 第18-24页 |
2.1 器件制备的相关仪器 | 第18-20页 |
2.1.1 真空磁控溅射的设备介绍 | 第18-19页 |
2.1.2 真空磁控溅射设备的原理 | 第19页 |
2.1.3 热蒸发仪器及原理 | 第19-20页 |
2.2 器件的相关表征设备 | 第20-24页 |
2.2.1 台阶仪的结构和原理 | 第20-21页 |
2.2.2 光谱测试设备及原理 | 第21页 |
2.2.3 I-V测试设备 | 第21-22页 |
2.2.4 SEM仪器和TEM仪器的结构及原理 | 第22-24页 |
第三章 电致发光器件的结构,性质和制备 | 第24-31页 |
3.1 器件相关材料的结构和性质 | 第24-29页 |
3.1.1 有机小分子TPD的结构和特性 | 第24-25页 |
3.1.2 ZnS的结构及特性 | 第25-26页 |
3.1.3 CdSe量子点的结构和特性 | 第26-27页 |
3.1.4 CdSe量子点的制备 | 第27-29页 |
3.2 器件的制备 | 第29-31页 |
3.2.1 导电玻璃的制备 | 第29页 |
3.2.2 TPD层的制备 | 第29-30页 |
3.2.3 CdSe量子点层的制备 | 第30页 |
3.2.4 无机薄膜层ZnS的生长 | 第30页 |
3.2.5 Ag电极的生长 | 第30-31页 |
第四章 实验结果及讨论 | 第31-39页 |
4.1 器件的形貌表征结果 | 第31页 |
4.2 量子点薄膜和TPD薄膜PL谱分析 | 第31-32页 |
4.3 电致发光器件的EL谱分析 | 第32-37页 |
4.4 电致发光器件的I-V特性和V-EL强度分析 | 第37-39页 |
第五章 工作总结与展望 | 第39-40页 |
参考文献 | 第40-48页 |
致谢 | 第48-50页 |
硕士期间研究成果 | 第50页 |