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界面状态对铁磁薄膜自旋相关输运性及磁性影响的研究

致谢第4-5页
摘要第5-7页
Abstract第7-8页
1 引言第11-13页
2 文献综述第13-47页
    2.1 自旋电子学第13-16页
        2.1.1 自旋电子学发展简介第13-14页
        2.1.2 磁电阻效应第14-16页
    2.2 平面霍尔效应第16-29页
        2.2.1 平面霍尔效应的应用第17-28页
        2.2.2 平面霍尔效应的影响因素第28-29页
    2.3 铁磁薄膜中的磁各向异性第29-33页
        2.3.1 形状磁各向异性第29-30页
        2.3.2 磁晶各向异性第30-31页
        2.3.3 磁弹各向异性第31页
        2.3.4 感生各向异性第31-32页
        2.3.5 界面各向异性第32页
        2.3.6 交换磁各向异性第32-33页
    2.4 铁磁薄膜的垂直磁各向异性第33-45页
        2.4.1 常用垂直磁各向异性材料第34-42页
        2.4.2 垂直磁各向异性的影响因素第42-45页
    2.5 研究目的与内容第45-47页
3 样品制备和分析测试方法第47-61页
    3.1 样品制备第47-51页
        3.1.1 基片清洗第47页
        3.1.2 薄膜样品制备第47-49页
        3.1.3 样品的真空退火第49页
        3.1.4 元件制备方法第49-51页
    3.2 样品的分析与测试方法第51-61页
        3.2.1 薄膜厚度的测量第52-53页
        3.2.2 薄膜的磁性能测量第53-54页
        3.2.3 X射线衍射分析第54-55页
        3.2.4 高分辨率透射电子显微镜第55-56页
        3.2.5 X射线反射第56-57页
        3.2.6 X射线光电子能谱第57-59页
        3.2.7 原子力显微镜第59-61页
4 氧化物插层对平面霍尔效应的影响研究第61-67页
    4.1 引言第61页
    4.2 实验方法第61-62页
    4.3 结果与讨论第62-66页
    4.4 小结第66-67页
5 界面粗糙度对平面霍尔效应的影响研究第67-75页
    5.1 引言第67页
    5.2 实验方法第67-68页
    5.3 结果与讨论第68-73页
    5.4 小结第73-75页
6 Au插层对平面霍尔效应的影响研究第75-83页
    6.1 引言第75页
    6.2 实验方法第75-76页
    6.3 结果与讨论第76-81页
    6.4 小结第81-83页
7 CoFeB/MgO结构垂直磁各向异性退火稳定性研究第83-91页
    7.1 引言第83-84页
    7.2 实验方法第84页
    7.3 结果与讨论第84-90页
    7.4 小结第90-91页
8 Co/Ni多层膜结构垂直磁各向异性退火稳定性研究第91-99页
    8.1 引言第91页
    8.2 实验方法第91-92页
    8.3 结果与讨论第92-98页
    8.4 小结第98-99页
9 结论第99-101页
参考文献第101-123页
作者简历及在学研究成果第123-128页
学位论文数据集第128页

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