| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 碳化硅半导体的材料特性 | 第9-12页 |
| 1.2 碳化硅功率二极管发展现状 | 第12-13页 |
| 1.3 碳化硅结势垒肖特基二极管研究意义 | 第13-15页 |
| 1.4 本论文主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 SiC JBS二极管基本理论与仿真物理模型 | 第16-23页 |
| 2.1 SiC JBS工作原理 | 第16页 |
| 2.2 击穿电压 | 第16-19页 |
| 2.3 物理模型 | 第19-22页 |
| 2.3.1 迁移率模型 | 第19-20页 |
| 2.3.2 载流子复合模型 | 第20-21页 |
| 2.3.3 碰撞电离模型 | 第21页 |
| 2.3.4 杂质不完全离化模型 | 第21-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 高压 4H-SiC JBS二极管结构设计 | 第23-57页 |
| 3.1 元胞结构设计 | 第23-29页 |
| 3.1.1 JBS二极管元胞基本结构 | 第23页 |
| 3.1.2 JBS二极管元胞参数确定 | 第23-28页 |
| 3.1.3 温度特性 | 第28-29页 |
| 3.2 结终端设计 | 第29-56页 |
| 3.2.1 平面器件曲率效应 | 第29-30页 |
| 3.2.2 场限环 | 第30-38页 |
| 3.2.2.1 均匀环间距场限环 | 第32-35页 |
| 3.2.2.2 缓变环间距场限环 | 第35-38页 |
| 3.2.3 结终端扩展 | 第38-56页 |
| 3.2.3.1 单区刻蚀型JTE | 第39-43页 |
| 3.2.3.2 多区刻蚀型JTE | 第43-51页 |
| 3.2.3.3 反掺杂离子注入型JTE | 第51-56页 |
| 3.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 高压 4H-SiC JBS二极管流片实验 | 第57-64页 |
| 4.1 高压 4H-SiC JBS二极管关键工艺 | 第57-60页 |
| 4.1.1 SiC沟槽刻蚀技术 | 第57-59页 |
| 4.1.2 肖特基接触 | 第59-60页 |
| 4.2 高压SiC JBS工艺流程 | 第60-62页 |
| 4.3 版图设计及流片实验结果 | 第62-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第71-72页 |