| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4页 |
| 第一章 前言 | 第8-14页 |
| 1.1 硅薄膜和硅薄膜材料的发展 | 第8页 |
| 1.2 硅薄膜的结构及模型 | 第8-9页 |
| 1.3 硅薄膜材料光致衰退效应 | 第9-10页 |
| 1.4 硅薄膜的应用 | 第10-12页 |
| 1.5 研究硅薄膜的电化学腐蚀的意义 | 第12-14页 |
| 第二章 硅薄膜的制备技术及其表征设备 | 第14-24页 |
| 2.1 硅薄膜的制备方法 | 第14-16页 |
| 2.1.1 射频增强和甚高频等离子增强体化学气相沉积法 | 第14-15页 |
| 2.1.2 介质层阻挡放电和微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法 | 第15-16页 |
| 2.2 等离子体化学气相沉积(PECVD)系统 | 第16-18页 |
| 2.2.1 PECVD原理简介 | 第16-17页 |
| 2.2.2 PECVD沉积纳晶硅薄膜的机理 | 第17-18页 |
| 2.3 硅薄膜的主要表征设备 | 第18-24页 |
| 2.3.1 X射线衍射仪(XRD) | 第18-20页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第20-21页 |
| 2.3.3 四探针电阻测试仪 | 第21页 |
| 2.3.4 CS电化学工作站 | 第21-24页 |
| 第三章 掺杂纳晶硅薄膜的制备及特性分析 | 第24-30页 |
| 3.1 实验设计 | 第24-25页 |
| 3.1.1 实验仪器 | 第24页 |
| 3.1.2 实验准备 | 第24页 |
| 3.1.3 实验步骤 | 第24-25页 |
| 3.2 特性分析 | 第25-30页 |
| 3.2.1 沉积温度对硅薄膜的影响 | 第25-26页 |
| 3.2.2 不同射频功率制备的硅薄膜 | 第26-27页 |
| 3.2.3 掺杂硅薄膜的电学特性分析 | 第27-30页 |
| 第四章 硅薄膜抗腐蚀性能的研究 | 第30-44页 |
| 4.1 电化学腐蚀技术 | 第30-31页 |
| 4.2 硅薄膜腐蚀机理 | 第31-32页 |
| 4.3 实验步骤 | 第32-34页 |
| 4.3.1 制备盐桥 | 第32-33页 |
| 4.3.2 加工待测硅薄膜 | 第33页 |
| 4.3.3 电解池的连接 | 第33-34页 |
| 4.3.4 配置酸液腐蚀液 | 第34页 |
| 4.4 电化学腐蚀数据分析 | 第34-44页 |
| 4.4.1 硅薄膜的制备温度对其腐蚀速率影响 | 第35-37页 |
| 4.4.2 硅薄膜的硼掺杂浓度对其腐蚀速率的影响 | 第37-39页 |
| 4.4.3 硅薄膜制备功率对其腐蚀速率的影响 | 第39-40页 |
| 4.4.4 硅薄膜不同制备温度下腐蚀的形貌比较 | 第40-41页 |
| 4.4.5 腐蚀液浓度对硅薄膜腐蚀速率的影响 | 第41-44页 |
| 第五章 总结与展望 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |