| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-34页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 拓扑绝缘体材料概述 | 第11-25页 |
| 1.2.1 拓扑绝缘体材料的制备与表征 | 第11-18页 |
| 1.2.2 拓扑绝缘体材料的性能及应用研究 | 第18-25页 |
| 1.3 光电探测器概述 | 第25-27页 |
| 1.3.1 光电探测器的原理及分类 | 第25-26页 |
| 1.3.2 光电探测器的主要性能参数 | 第26-27页 |
| 1.4 本论文的研究内容与意义 | 第27-29页 |
| 1.5 参考文献 | 第29-34页 |
| 第二章 基于拓扑绝缘体Bi_2Se_3纳米线与Si异质结的高效宽光谱光电探测器 | 第34-58页 |
| 2.1 引言 | 第34-35页 |
| 2.2 实验部分 | 第35-38页 |
| 2.2.1 硒化铋纳米线的合成与表征 | 第35-37页 |
| 2.2.2 硒化铋纳米线/硅异质结的合成与测试 | 第37-38页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第38-53页 |
| 2.3.1 硒化铋纳米线的表征 | 第38-42页 |
| 2.3.2 硒化铋纳米线/硅异质结的结构表征 | 第42-43页 |
| 2.3.3 硒化铋纳米线/硅异质结的光电探测器测试结果分析 | 第43-50页 |
| 2.3.4 硒化铋纳米线/硅异质结的机理分析 | 第50-53页 |
| 2.4 本章小结 | 第53页 |
| 2.5 参考文献 | 第53-58页 |
| 第三章 基于拓扑晶体绝缘体SnTe与Si异质结的高效宽光谱光电探测器 | 第58-81页 |
| 3.1 引言 | 第58-59页 |
| 3.2 实验部分 | 第59-61页 |
| 3.2.1 碲化锡的合成与表征 | 第59-60页 |
| 3.2.2 碲化锡薄膜/硅异质结的合成与测试 | 第60-61页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第61-76页 |
| 3.3.1 碲化锡薄膜的表征 | 第61-64页 |
| 3.3.2 碲化锡薄膜/硅异质结的结构表征 | 第64-65页 |
| 3.3.3 碲化锡薄膜/硅异质结的光电器件结果分析 | 第65-76页 |
| 3.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 3.5 参考文献 | 第77-81页 |
| 总结与展望 | 第81-83页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
