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基于调制半导体技术的高功率脉冲光纤激光器及中红外源

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-30页
    1.1 高功率掺铥光纤激光器发展历史及研究现状第10-24页
        1.1.1 调Q掺铥光纤激光器第13-16页
        1.1.2 锁模掺铥光纤激光器第16-18页
        1.1.3 基于调制半导体技术的掺铥光纤激光器第18-20页
        1.1.4 基于增益开关半导体技术的掺铥光纤激光器第20-22页
        1.1.5 采用拉曼平移方式的高能量 2 μm脉冲源第22-24页
    1.2 高功率中红外超连续谱的发展第24-27页
    1.3 论文的主要内容第27-30页
第2章 基于半导体调制技术的高功率纳秒掺铥光纤激光器第30-58页
    2.1 基于半导体调制技术的高功率纳秒脉冲掺铥光纤激光器第30-35页
        2.1.1 实验装置图第30-31页
        2.1.2 实验结果及分析第31-35页
    2.2 放大器的增益饱和理论第35-42页
        2.2.1 方形脉冲在放大器中的增益饱和现象第37-38页
        2.2.2 通过对种子光进行脉冲预补偿在放大器中获得理想脉冲形状第38-42页
    2.3 任意波形输出的高功率掺铥光纤激光器第42-56页
        2.3.1 实验装置图第43-44页
        2.3.2 实验结果与理论分析第44-56页
    2.4 本章小结第56-58页
第3章 基于调制半导体脉冲泵浦的中红外超连续光源第58-80页
    3.1 基于氟化物光纤中红外超连续光源第58-69页
        3.1.1 拉曼平移脉冲泵浦的中红外超连续光源第60-65页
        3.1.2 基于直接调制半导体技术掺铥光纤激光器泵浦的中红外超连续光源第65-69页
    3.2 基于碲酸盐光纤的中红外超连续光源第69-77页
        3.2.1 实验装置图第73-74页
        3.2.2 实验结果与理论分析第74-77页
    3.3 本章小结第77-80页
第4章 基于增益开关半导体技术的 2 μm皮秒脉冲源第80-96页
    4.1 基于增益开关半导体技术的皮秒脉冲掺铥光纤激光器第83-90页
    4.2 增益开关半导体脉冲拉曼平移的 2 μm波段光谱第90-95页
        4.2.1 实验装置图第90-91页
        4.2.2 实验结果与分析第91-95页
    4.3 本章小结第95-96页
第5章 中红外飞秒可调谐拉曼孤子第96-104页
    5.1 实验装置图第97-98页
    5.2 实验结果和理论分析第98-102页
    5.3 本章小结第102-104页
第6章 结论与展望第104-108页
    6.1 论文工作总结与结论第104-105页
    6.2 论文主要创新点第105页
    6.3 后续研究工作展望第105-108页
参考文献第108-120页
攻读博士学位期间所发表的学术论文第120-124页
致谢第124-125页

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