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电沉积法制备CIS薄膜太阳能电池工艺研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 绪论第10-18页
    1.1 引言第10页
    1.2 太阳能电池概述第10-12页
        1.2.1 太阳能电池的发展第10-11页
        1.2.2 太阳能电池的分类第11-12页
    1.3 太阳能电池的基本原理第12-15页
        1.3.1 工作原理第12-13页
        1.3.2 等效电路第13-15页
    1.4 太阳能电池的主要性能参数第15-17页
        1.4.1 暗电流和光电流第15页
        1.4.2 短路电流第15页
        1.4.3 开路电压第15-16页
        1.4.4 填充因子第16页
        1.4.5 转换效率第16-17页
    1.5 本论文研究内容、目的及意义第17-18页
第二章 CIS太阳能电池第18-27页
    2.1 CIS太阳能电池的发展历史第18-19页
    2.2 CIS的结构和特性第19-21页
        2.2.1 CIS的晶体结构第19页
        2.2.2 CIS的光学特性第19-20页
        2.2.3 CIS的电学特性第20页
        2.2.4 CIS的掺杂改性第20-21页
    2.3 CIS材料制备方法第21-24页
        2.3.1 蒸发法第21-22页
        2.3.2 磁控溅射法第22页
        2.3.3 化学水浴法第22页
        2.3.4 电沉积法第22-23页
        2.3.5 分子束外延法第23页
        2.3.6 喷涂热解法第23页
        2.3.7 溶胶凝胶法第23页
        2.3.8 纳米颗粒涂覆法第23-24页
    2.4 CIS的研究热点和存在问题第24-25页
    2.5 CIS太阳能电池结构第25-27页
第三章 实验设计及仪器设备第27-31页
    3.1 实验设计第27-28页
    3.2 实验试剂及设备第28页
    3.3 测试设备第28-30页
        3.3.1 扫描电子显微镜和能谱仪第29页
        3.3.2 X射线衍射分析第29页
        3.3.3 吸光度测试和禁带宽度分析第29页
        3.3.4 材料电阻率测试第29-30页
        3.3.5 导电类型测试第30页
        3.3.6 太阳能电池性能测试第30页
    3.4 本章小结第30-31页
第四章 电沉积制备CIS薄膜第31-56页
    4.1 电沉积原理第31-32页
    4.2 影响电沉积制备CIS薄膜的因素第32-33页
        4.2.1 衬底材料第32页
        4.2.2 沉积电位和电流第32页
        4.2.3 溶剂体系第32页
        4.2.4 溶质浓度第32-33页
        4.2.5 电解液温度第33页
        4.2.6 电解液pH值第33页
        4.2.7 退火第33页
        4.2.8 搅拌第33页
    4.3 实验步骤第33-35页
        4.3.1 衬底材料的选择和清洗第33-34页
        4.3.2 电解液的配制第34页
        4.3.3 电沉积过程第34页
        4.3.4 硫化退火第34-35页
    4.4 实验结果与讨论第35-55页
        4.4.1 电解液浓度对CIS薄膜的影响第35-42页
        4.4.2 退火对CIS薄膜的影响第42-48页
        4.4.3 其他条件对CIS薄膜的影响第48-51页
        4.4.4 非水体系中工艺参数对CIS薄膜的影响第51-55页
    4.5 本章小结第55-56页
第五章 化学水浴法和电沉积法制备Zn S薄膜第56-64页
    5.1 引言第56页
    5.2 实验原理第56-57页
        5.2.1 化学水浴法沉积原理第56-57页
        5.2.2 电沉积法原理第57页
    5.3 实验步骤第57-58页
        5.3.1 化学水浴法实验步骤第57-58页
        5.3.2 电沉积法实验步骤第58页
    5.4 化学水浴法工艺参数对ZnS薄膜的影响第58-61页
        5.4.1 水浴温度对ZnS薄膜的影响第58-59页
        5.4.2 沉积时间对ZnS薄膜的影响第59-61页
    5.5 电沉积工艺参数对薄膜的影响第61-63页
        5.5.1 沉积电位对ZnS薄膜的影响第61-62页
        5.5.2 pH值对ZnS薄膜的影响第62-63页
    5.6 本章小结第63-64页
第六章 CIS太阳能电池原型器件的制备第64-72页
    6.1 原型器件制备的工艺流程第64-66页
        6.1.1 衬底的选择与清洗第64页
        6.1.2 电沉积制备CIS吸收层第64页
        6.1.3 缓冲层ZnS的制备第64-65页
        6.1.4 窗口层的制备第65页
        6.1.5 顶电极的制备第65-66页
    6.2 太阳能电池原型器件的性能测试第66-68页
        6.2.1 不同Cu/In浓度比CIS太阳能电池的性能参数第66-67页
        6.2.2 不同退火温度CIS太阳能电池的性能参数第67-68页
        6.2.3 不同缓冲层ZnS制备方法CIS太阳能电池的性能参数第68页
    6.3 电池制备工艺问题和性能分析第68-71页
        6.3.1 工艺问题及解决方法第68-70页
        6.3.2 器件性能分析第70-71页
    6.4 本章小结第71-72页
第七章 结论与展望第72-74页
    7.1 结论第72-73页
    7.2 展望第73-74页
参考文献第74-78页
致谢第78页

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