| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 红外探测技术及应用 | 第10-12页 |
| 1.2 量子阱红外探测器 | 第12-14页 |
| 1.3 AlGaN/GaN多量子阱ISBT红外探测器研究背景 | 第14-16页 |
| 1.4 研究进展 | 第16-19页 |
| 1.5 研究难点 | 第19-20页 |
| 1.6 主要研究内容 | 第20-22页 |
| 2 AlGaN/GaN多量子阱材料外延及测试表征技术 | 第22-37页 |
| 2.1 半导体材料外延介绍 | 第22-23页 |
| 2.2 AlGaN/GaN量子阱材料外延生长技术简介 | 第23-31页 |
| 2.3 材料测试表征设备 | 第31-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 3 AlGaN/GaN多量子阱ISBT红外探测结构设计 | 第37-64页 |
| 3.1 AlGaN材料基本特征 | 第37-44页 |
| 3.2 AlGaN/GaN量子阱计算模型及计算方法 | 第44-50页 |
| 3.3 AlGaN/GaN多量子阱ISBT红外跃迁特性研究 | 第50-63页 |
| 3.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 4 AlGaN/GaN量子阱模板材料的生长研究 | 第64-96页 |
| 4.1 AlN薄膜生长研究 | 第64-79页 |
| 4.2 n-AlGaN薄膜的MOCVD生长 | 第79-95页 |
| 4.3 本章小结 | 第95-96页 |
| 5 AlGaN/GaN多量子阱结构优化及ISBT红外跃迁研究 | 第96-127页 |
| 5.1 AlGaN/GaN量子阱材料生长参数的优化 | 第96-108页 |
| 5.2 极化对AlGaN/GaN多量子阱中ISBT红外跃迁影响研究 | 第108-113页 |
| 5.3 量子阱结构参数对ISBT红外跃迁影响研究 | 第113-116页 |
| 5.4 掺杂对AlGaN/GaN多量子阱中ISBT红外跃迁影响研究 | 第116-125页 |
| 5.5 本章小结 | 第125-127页 |
| 6 AlGaN/GaN多量子阱红外探测器制备及性能研究 | 第127-140页 |
| 6.1 AlGaN/GaN多量子阱红外探测器研究进展 | 第127-128页 |
| 6.2 量子阱红外探测器制备及测试 | 第128-130页 |
| 6.3 量子阱红外探测器光电特性研究 | 第130-139页 |
| 6.4 本章小结 | 第139-140页 |
| 7 总结与展望 | 第140-143页 |
| 7.1 本论文工作总结 | 第140-141页 |
| 7.2 工作展望 | 第141-143页 |
| 致谢 | 第143-145页 |
| 参考文献 | 第145-163页 |
| 附录1 攻读博士学位期间已发表或完成的论文 | 第163-167页 |
| 附录2 攻读博士学位期间申请的专利 | 第167页 |
