压水堆一回路中Zn离子注入抑制金属腐蚀机理的半导体电化学研究
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-9页 |
第1章 绪论 | 第9-19页 |
·课题背景及研究的目的和意义 | 第9-11页 |
·核电站一回路水化学管理 | 第11-14页 |
·高温合金氧化 | 第14-15页 |
·氧化膜类型 | 第15-17页 |
·氧化膜耐腐蚀的性能 | 第17-19页 |
第2章 实验方法 | 第19-30页 |
·点滴法测定氧化膜的抗腐蚀能力 | 第19-20页 |
·点滴液及其点滴终点判定 | 第19-20页 |
·电化学阻抗谱理论(EIS) | 第20-23页 |
·测量阻纳的前提条件 | 第21页 |
·等效电路 | 第21-23页 |
·等效电路的优点及缺点 | 第23页 |
·Nyquist 图与 Bode 图 | 第23页 |
·半导体 | 第23-27页 |
·半导体的电导率 | 第24-26页 |
·空间电荷区的富集层,耗尽层和反型层 | 第26-27页 |
·基材前处理 | 第27页 |
·溶液组成及其条件 | 第27-28页 |
·过程、装置及检测 | 第28-29页 |
·本章小结 | 第29-30页 |
第3章 实验结果及分析 | 第30-36页 |
·SO_4~(2-) 对实验结果影响 | 第30页 |
·点滴测定氧化膜的抗腐蚀能力 | 第30-31页 |
·电化学阻抗谱测量 | 第31-35页 |
·本章小结 | 第35-36页 |
第4章 Mott-Schottky 曲线测量 | 第36-42页 |
·Mott-Schottky 曲线 | 第36-37页 |
·Mott-Schottky 测量数据 | 第37-41页 |
·本章小结 | 第41-42页 |
第5章 结论及建议 | 第42-44页 |
·结论 | 第42-43页 |
·建议 | 第43-44页 |
参考文献 | 第44-47页 |
在学期间发表的学术论文和参加科研情况 | 第47-48页 |
致谢 | 第48-49页 |
详细摘要 | 第49-61页 |