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压水堆一回路中Zn离子注入抑制金属腐蚀机理的半导体电化学研究

摘要第1-6页
Abstract第6-9页
第1章 绪论第9-19页
   ·课题背景及研究的目的和意义第9-11页
   ·核电站一回路水化学管理第11-14页
   ·高温合金氧化第14-15页
   ·氧化膜类型第15-17页
   ·氧化膜耐腐蚀的性能第17-19页
第2章 实验方法第19-30页
   ·点滴法测定氧化膜的抗腐蚀能力第19-20页
     ·点滴液及其点滴终点判定第19-20页
   ·电化学阻抗谱理论(EIS)第20-23页
     ·测量阻纳的前提条件第21页
     ·等效电路第21-23页
       ·等效电路的优点及缺点第23页
     ·Nyquist 图与 Bode 图第23页
   ·半导体第23-27页
     ·半导体的电导率第24-26页
     ·空间电荷区的富集层,耗尽层和反型层第26-27页
   ·基材前处理第27页
   ·溶液组成及其条件第27-28页
   ·过程、装置及检测第28-29页
   ·本章小结第29-30页
第3章 实验结果及分析第30-36页
   ·SO_4~(2-) 对实验结果影响第30页
   ·点滴测定氧化膜的抗腐蚀能力第30-31页
   ·电化学阻抗谱测量第31-35页
   ·本章小结第35-36页
第4章 Mott-Schottky 曲线测量第36-42页
   ·Mott-Schottky 曲线第36-37页
   ·Mott-Schottky 测量数据第37-41页
   ·本章小结第41-42页
第5章 结论及建议第42-44页
   ·结论第42-43页
   ·建议第43-44页
参考文献第44-47页
在学期间发表的学术论文和参加科研情况第47-48页
致谢第48-49页
详细摘要第49-61页

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