| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第10-11页 |
| 1.2 稀磁半导体 | 第11-13页 |
| 1.2.1 II-VI族稀磁半导体 | 第12-13页 |
| 1.2.2 III-V族稀磁半导体 | 第13页 |
| 1.3 二维δ层稀磁半导体的发展 | 第13-15页 |
| 第二章 理论方法与模型 | 第15-27页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第15-19页 |
| 2.1.1 多粒子系统哈密顿量 | 第15-16页 |
| 2.1.2 绝热近似 | 第16页 |
| 2.1.3 Hohenberg-kohn定理 | 第16页 |
| 2.1.4 Kohn-Sham方程 | 第16-17页 |
| 2.1.5 局域密度近似（LDA） | 第17-18页 |
| 2.1.6 广义梯度近似（GGA） | 第18页 |
| 2.1.7 库伦作用修正（L(S)DA+U） | 第18-19页 |
| 2.2 稀磁半导体中的交换机制 | 第19-26页 |
| 2.2.1 Zener双交换 | 第20-22页 |
| 2.2.2 Zener p-d交换 | 第22-24页 |
| 2.2.3 超交换机制 | 第24-26页 |
| 2.3 vasp软件简介 | 第26-27页 |
| 2.3.1 工作原理 | 第26页 |
| 2.3.2 主要功能 | 第26-27页 |
| 第三章 形变对δ-(Zn,Mn,Li)Se磁性影响的研究 | 第27-41页 |
| 3.1 计算模型 | 第27页 |
| 3.2 计算方法与细节 | 第27-28页 |
| 3.3 形变增强δ-(Zn,Mn,Li)Se铁磁性 | 第28-34页 |
| 3.3.1 研究背景 | 第28页 |
| 3.3.2 通过形变提高体系的磁交换能 | 第28-30页 |
| 3.3.3 形变引起的原子和电子结构改变 | 第30-33页 |
| 3.3.4 结论 | 第33-34页 |
| 3.4 形变下δ-(Zn,Mn,Li)Se体系里双交换与p-d交换竞争 | 第34-41页 |
| 3.4.1 研究背景 | 第34页 |
| 3.4.2 两种机制导致磁交换能的区别 | 第34-36页 |
| 3.4.3 两种机制引起的原子与电子结构的不同 | 第36-40页 |
| 3.4.4 结论 | 第40-41页 |
| 第四章 形变对δ-(Ga,Mn)As薄膜磁性影响的研究 | 第41-48页 |
| 4.1 研究背景 | 第41-42页 |
| 4.2 计算模型 | 第42-43页 |
| 4.3 计算方法与细节 | 第43页 |
| 4.4 形变提高薄膜磁交换能 | 第43-45页 |
| 4.5 形变引起薄膜原子和电子结构的变化 | 第45-47页 |
| 4.6 结论 | 第47-48页 |
| 第五章 总结与展望 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第57页 |
