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碳纳米管阴极薄膜的制备及其场发射性能研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第10-18页
    1.1 场发射阴极发展现状第10-12页
    1.2 碳纳米管场发射阴极的研究进展第12-14页
    1.3 碳纳米管场发射阴极的研究意义第14-16页
    1.4 本文研究的主要内容第16-18页
2 碳纳米管的场发射理论研究第18-38页
    2.1 碳纳米管概述第18-28页
        2.1.1 碳纳米管的分类第18-21页
        2.1.2 碳纳米管的性能第21-23页
        2.1.3 碳纳米管的制备第23-26页
        2.1.4 碳纳米管的应用第26-28页
    2.2 场发射理论第28-33页
        2.2.1 电子发射的原理第28-29页
        2.2.2 第一原理第29-30页
        2.2.3 Hohenberg-Kohn定理第30-31页
        2.2.4 Kohn-Sham理论第31页
        2.2.5 F-N理论第31-33页
    2.3 碳纳米管场致发射第33-38页
        2.3.1 碳纳米管场发射器件第34-35页
        2.3.2 碳纳米管场发射器件的应用第35-38页
3 丝网印刷法制备碳纳米管场发射阴极第38-53页
    3.1 丝网印刷法概述第38-42页
        3.1.1 丝网印刷法的原理第38-39页
        3.1.2 丝网印刷法的优点第39-40页
        3.1.3 丝网印刷的手工工艺第40-41页
        3.1.4 影响丝网印刷碳纳米管薄膜性能的因素第41-42页
    3.2 丝网印刷法制备碳纳米管薄膜第42-44页
        3.2.1 实验所用的试剂以及实验设备第42-43页
        3.2.2 印刷浆料的配置第43-44页
        3.2.3 碳纳米管阴极的印刷第44页
    3.3 薄膜表面形貌分析第44-46页
    3.4 丝网印刷法制得碳纳米管薄膜场发射性能测试第46-51页
    3.5 本章小结第51-53页
4 旋转涂覆法制备碳纳米管场发射阴极第53-65页
    4.1 旋转涂覆法第53-55页
    4.2 旋转涂覆法制备碳纳米管场发射极薄膜第55-57页
        4.2.1 实验仪器第55-56页
        4.2.2 碳纳米管阴极的制备第56-57页
    4.3 丝网印刷法和旋转涂覆法制得碳纳米管薄膜场发射性能比较第57-59页
    4.4 热处理以及毛刷法对碳纳米管薄膜场发射性能的影响第59-64页
    4.5 本章小结第64-65页
5 结论第65-66页
参考文献第66-68页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第68-69页
致谢第69页

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