基于PCM的写操作优化策略研究与设计
| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第1章 绪论 | 第12-18页 |
| 1.1 背景介绍 | 第12-13页 |
| 1.2 研究现状 | 第13-16页 |
| 1.2.1 相变存储器产品 | 第13-14页 |
| 1.2.2 基于PCM的非易失性主存研究 | 第14-16页 |
| 1.3 研究意义 | 第16-17页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第17-18页 |
| 第2章 相关介绍 | 第18-23页 |
| 2.1 相变存储器的工作原理 | 第18-19页 |
| 2.2 基于PCM的主存架构 | 第19-21页 |
| 2.2.1 混合式主存中代码/数据静态分布 | 第20页 |
| 2.2.2 混合式主存中动态内存管理与优化 | 第20-21页 |
| 2.2.3 混合式主存控制器关键技术 | 第21页 |
| 2.3 小结 | 第21-23页 |
| 第3章 3Stage-Write策略 | 第23-36页 |
| 3.1 PCM性能优化策略介绍 | 第23-27页 |
| 3.1.1 基于PCM自身特性的优化 | 第23-24页 |
| 3.1.2 通过写操作的特性 | 第24-25页 |
| 3.1.3 通过对写入数据的重新编码 | 第25-26页 |
| 3.1.4 通过纠错机制 | 第26-27页 |
| 3.2 3Stage-Write策略主要思想 | 第27-29页 |
| 3.3 算法介绍 | 第29-30页 |
| 3.4 实例分析 | 第30-31页 |
| 3.5 字长对翻转位数的影响 | 第31-32页 |
| 3.6 性能分析及对比 | 第32-33页 |
| 3.7 硬件实现 | 第33-35页 |
| 3.8 小结 | 第35-36页 |
| 第4章 实验数据 | 第36-42页 |
| 4.1 实验设置 | 第36-37页 |
| 4.2 翻转位数对比 | 第37-39页 |
| 4.3 写操作时间对比 | 第39-40页 |
| 4.4 能量消耗对比 | 第40-41页 |
| 4.5 小结 | 第41-42页 |
| 第5章 总结与展望 | 第42-44页 |
| 5.1 总结 | 第42-43页 |
| 5.2 课题展望 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 攻读学位期间发表的主要学术论文 | 第50-51页 |
| 附件 | 第51页 |
