| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 存储技术的发展及瓶颈 | 第8-9页 |
| 1.2 忆阻的发现及发展 | 第9-11页 |
| 1.3 忆阻在存储方面的优势 | 第11-14页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第14-15页 |
| 1.5 论文组织结构 | 第15-16页 |
| 2 忆阻模型介绍 | 第16-25页 |
| 2.1 惠普忆阻模型 | 第16-21页 |
| 2.2 窗函数 | 第21-22页 |
| 2.3 其他忆阻模型 | 第22-24页 |
| 2.4 本章总结 | 第24-25页 |
| 3 基于忆阻的读写电路设计 | 第25-45页 |
| 3.1 忆阻读写分析 | 第25-28页 |
| 3.2 忆阻的PSPICE模型建立 | 第28-32页 |
| 3.3 读写电路的设计 | 第32-40页 |
| 3.4 电路仿真结果 | 第40-44页 |
| 3.5 本章总结 | 第44-45页 |
| 4 基于忆阻的读写电路的应用 | 第45-60页 |
| 4.1 基于忆阻的多值存储 | 第45-52页 |
| 4.2 阵列存储及其应用 | 第52-58页 |
| 4.3 本章总结 | 第58-60页 |
| 5 总结及展望 | 第60-62页 |
| 5.1 全文总结 | 第60页 |
| 5.2 课题展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |