| 致谢 | 第4-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-31页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第13-21页 |
| 1.1.1 自旋极化输运的提出和磁阻效应 | 第13-15页 |
| 1.1.2 自旋弛豫和自旋退相干 | 第15-18页 |
| 1.1.3 自旋器件和应用 | 第18-21页 |
| 1.1.3.1 自旋场效应晶体管 | 第18-19页 |
| 1.1.3.2 磁偶晶体管 | 第19-20页 |
| 1.1.3.3 热电子自旋晶体管 | 第20-21页 |
| 1.2 拓扑绝缘体 | 第21-25页 |
| 1.2.1 二维拓扑绝缘体 | 第21-23页 |
| 1.2.1.1 石墨烯模型 | 第21-22页 |
| 1.2.1.2 HgTe/CdTe量子阱结构 | 第22-23页 |
| 1.2.2 三维拓扑绝缘体 | 第23-24页 |
| 1.2.3 HgTe三维拓扑绝缘体 | 第24-25页 |
| 1.3 本论文的选题背景与创新点 | 第25-28页 |
| 参考文献 | 第28-31页 |
| 第二章 磁输运和拉曼测量方法 | 第31-39页 |
| 2.1 磁输运测量方法 | 第31-33页 |
| 2.1.1 标准霍尔法 | 第31页 |
| 2.1.2 范德堡法 | 第31-33页 |
| 2.2 磁输运测量系统 | 第33-35页 |
| 2.2.1 常规磁输运测试系统 | 第33-34页 |
| 2.2.2 倾斜磁场和平行磁场下磁输运测试系统 | 第34-35页 |
| 2.3 拉曼光谱原理与其应用 | 第35-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第三章 AlGaN/GaN量子阱的输运研究 | 第39-63页 |
| 3.1 磁输运理论 | 第39-50页 |
| 3.1.1 经典输运理论——Drude电导 | 第39-41页 |
| 3.1.2 电子-电子相互作用 | 第41-42页 |
| 3.1.3 弱局域效应 | 第42-43页 |
| 3.1.4 自旋轨道耦合与反弱局域效应 | 第43-47页 |
| 3.1.5 纵向磁阻振荡与塞曼效应 | 第47-50页 |
| 3.2 实验内容与样品结构 | 第50-51页 |
| 3.3 AlGaN/GaN量子阱的基本输运研究 | 第51-54页 |
| 3.4 AlGaN/GaN量子阱中的SdH振荡和塞曼效应 | 第54-55页 |
| 3.5 AlGaN/GaN量子阱中自旋轨道耦合和塞曼效应 | 第55-59页 |
| 3.6 总结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 第四章 HgCdTe反型层的自旋轨道耦合和塞曼效应 | 第63-79页 |
| 4.1 弹道输运和扩散输运模型——Golub模型 | 第63-65页 |
| 4.2 样品与实验 | 第65页 |
| 4.3 扩散输运和弹道输运中的自旋轨道耦合作用和塞曼效应 | 第65-71页 |
| 4.3.1 SdH振荡中的自旋分裂 | 第65-67页 |
| 4.3.2 HgCdTe反型层的自旋轨道耦合和塞曼效应 | 第67-70页 |
| 4.3.3 ILP模型和Golub模型对比 | 第70-71页 |
| 4.4 不同温度下自旋轨道耦合作用和塞曼效应 | 第71-76页 |
| 4.4.1 不同温度下的反弱局域效应 | 第71-72页 |
| 4.4.2 自旋轨道耦合和塞曼效应以及表面粗糙涨落 | 第72-74页 |
| 4.4.3 自旋轨道耦合和塞曼效应随温度的变化 | 第74-75页 |
| 4.4.4 平行磁场下的相位退相干时间随温度的变化 | 第75-76页 |
| 4.5 总结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第五章 MgZnO薄膜的弱局域效应和磁阻各向异性 | 第79-102页 |
| 5.1 引言 | 第79-83页 |
| 5.1.1 ZnO材料 | 第79-80页 |
| 5.1.2 弱局域效应 | 第80-83页 |
| 5.2 样品与实验 | 第83-85页 |
| 5.3 MgZnO薄膜的三维弱局域效应 | 第85-90页 |
| 5.3.1 降温电阻 | 第85-86页 |
| 5.3.2 三维弱局域理论 | 第86-87页 |
| 5.3.3 特征磁场kB法 | 第87-88页 |
| 5.3.4 相位相干长度Lj随温度的变化 | 第88-89页 |
| 5.3.5 各向异性系数 a | 第89-90页 |
| 5.4 MgZnO薄膜的磁阻各向异性 | 第90-97页 |
| 5.4.1 单轴各向异性模型 | 第90页 |
| 5.4.2 不同磁场下的磁阻各向异性 | 第90-93页 |
| 5.4.3 不同电流方向下的磁阻各向异性 | 第93-95页 |
| 5.4.4 磁阻各向异性随温度的变化 | 第95-96页 |
| 5.4.5 磁阻各向异性在光照后的变化 | 第96-97页 |
| 5.5 总结 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-102页 |
| 第六章 应力HgTe的拉曼光谱性质研究 | 第102-112页 |
| 6.1 样品制备 | 第102-104页 |
| 6.2 HgTe的拉曼光谱 | 第104-106页 |
| 6.3 应力下的拉曼光谱分析 | 第106-109页 |
| 6.4 总结 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-112页 |
| 第七章 总结与展望 | 第112-114页 |
| 7.1 总结 | 第112-113页 |
| 7.2 展望 | 第113-114页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第114-115页 |
