| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 超导理论 | 第10-12页 |
| 1.2.1 Meissner效应和London方程 | 第10-12页 |
| 1.2.2 Cooper电子对理论 | 第12页 |
| 1.3 铁基超导体的发展 | 第12-16页 |
| 1.4 薄膜生长方法 | 第16-19页 |
| 1.4.1 PLD镀膜 | 第16-18页 |
| 1.4.2 磁控溅射镀膜 | 第18-19页 |
| 1.4.3 化学气相沉积镀膜 | 第19页 |
| 1.5 论文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-26页 |
| 第二章 铁硒碲超导薄膜的制备与测试 | 第26-33页 |
| 2.1 引言 | 第26-27页 |
| 2.2 实验方法 | 第27-29页 |
| 2.2.1 铁硒碲靶材的制备 | 第27页 |
| 2.2.2 铁硒碲薄膜的生长 | 第27-29页 |
| 2.3 表征方法 | 第29-32页 |
| 2.3.1 X射线衍射分析(XRD)的简介 | 第29页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM)的简介 | 第29-30页 |
| 2.3.3 综合物性测量系统(PPMS)的简介 | 第30页 |
| 2.3.4 X射线能谱仪(EDS) | 第30-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第三章 铁硒碲超导薄膜的性能分析 | 第33-51页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 铁硒碲超导薄膜的表征结果 | 第33-35页 |
| 3.2.1 晶体结构 | 第33-34页 |
| 3.2.2 FeSe_(0.5)Te_(0.5)薄膜的表面形貌 | 第34-35页 |
| 3.2.3 FeSe_(0.5)Te_(0.5)薄膜的成分分析 | 第35页 |
| 3.3 生长温度对铁硒碲薄膜超导性能的影响 | 第35-37页 |
| 3.3.1 生长条件 | 第35-36页 |
| 3.3.2 超导特性 | 第36-37页 |
| 3.4 激光能量对铁硒碲薄膜超导性能的影响 | 第37-38页 |
| 3.4.1 生长条件 | 第37页 |
| 3.4.2 超导特性 | 第37-38页 |
| 3.5 靶材成分对铁硒碲薄膜超导性能的影响 | 第38-39页 |
| 3.5.1 生长条件 | 第38页 |
| 3.5.2 超导特性 | 第38-39页 |
| 3.6 生长速度对铁硒碲薄膜超导性能的影响 | 第39-41页 |
| 3.6.1 生长条件 | 第39-40页 |
| 3.6.2 超导特性 | 第40-41页 |
| 3.7 晶格畸变对铁硒碲薄膜超导性能的影响 | 第41-46页 |
| 3.7.1 生长条件 | 第41-42页 |
| 3.7.2 FeSe_(0.3)Te_(0.7)薄膜晶格常数c的计算 | 第42-45页 |
| 3.7.3 超导性能与晶格常数的关系 | 第45-46页 |
| 3.8 薄膜中Fe成分对超导的影响 | 第46-47页 |
| 3.9 本章小结 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第四章 磁场对FeSe_(0.3)Te_(0.7)薄膜的影响 | 第51-57页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 磁场强度对FeSe_(0.3)Te_(0.7)薄膜超导性能的影响 | 第51-53页 |
| 4.3 FeSe_(0.3)Te_(0.7)薄膜上临界磁场的计算 | 第53-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第五章 结论和展望 | 第57-59页 |
| 5.1 结论 | 第57页 |
| 5.2 工作展望 | 第57-59页 |
| 硕士期间取得的科研成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
