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铁硒碲超导薄膜的生长及其超导性能研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-26页
    1.1 引言第10页
    1.2 超导理论第10-12页
        1.2.1 Meissner效应和London方程第10-12页
        1.2.2 Cooper电子对理论第12页
    1.3 铁基超导体的发展第12-16页
    1.4 薄膜生长方法第16-19页
        1.4.1 PLD镀膜第16-18页
        1.4.2 磁控溅射镀膜第18-19页
        1.4.3 化学气相沉积镀膜第19页
    1.5 论文的主要研究内容第19-21页
    参考文献第21-26页
第二章 铁硒碲超导薄膜的制备与测试第26-33页
    2.1 引言第26-27页
    2.2 实验方法第27-29页
        2.2.1 铁硒碲靶材的制备第27页
        2.2.2 铁硒碲薄膜的生长第27-29页
    2.3 表征方法第29-32页
        2.3.1 X射线衍射分析(XRD)的简介第29页
        2.3.2 扫描电子显微镜(SEM)的简介第29-30页
        2.3.3 综合物性测量系统(PPMS)的简介第30页
        2.3.4 X射线能谱仪(EDS)第30-32页
    参考文献第32-33页
第三章 铁硒碲超导薄膜的性能分析第33-51页
    3.1 引言第33页
    3.2 铁硒碲超导薄膜的表征结果第33-35页
        3.2.1 晶体结构第33-34页
        3.2.2 FeSe_(0.5)Te_(0.5)薄膜的表面形貌第34-35页
        3.2.3 FeSe_(0.5)Te_(0.5)薄膜的成分分析第35页
    3.3 生长温度对铁硒碲薄膜超导性能的影响第35-37页
        3.3.1 生长条件第35-36页
        3.3.2 超导特性第36-37页
    3.4 激光能量对铁硒碲薄膜超导性能的影响第37-38页
        3.4.1 生长条件第37页
        3.4.2 超导特性第37-38页
    3.5 靶材成分对铁硒碲薄膜超导性能的影响第38-39页
        3.5.1 生长条件第38页
        3.5.2 超导特性第38-39页
    3.6 生长速度对铁硒碲薄膜超导性能的影响第39-41页
        3.6.1 生长条件第39-40页
        3.6.2 超导特性第40-41页
    3.7 晶格畸变对铁硒碲薄膜超导性能的影响第41-46页
        3.7.1 生长条件第41-42页
        3.7.2 FeSe_(0.3)Te_(0.7)薄膜晶格常数c的计算第42-45页
        3.7.3 超导性能与晶格常数的关系第45-46页
    3.8 薄膜中Fe成分对超导的影响第46-47页
    3.9 本章小结第47-49页
    参考文献第49-51页
第四章 磁场对FeSe_(0.3)Te_(0.7)薄膜的影响第51-57页
    4.1 引言第51页
    4.2 磁场强度对FeSe_(0.3)Te_(0.7)薄膜超导性能的影响第51-53页
    4.3 FeSe_(0.3)Te_(0.7)薄膜上临界磁场的计算第53-54页
    4.4 本章小结第54-56页
    参考文献第56-57页
第五章 结论和展望第57-59页
    5.1 结论第57页
    5.2 工作展望第57-59页
硕士期间取得的科研成果第59-60页
致谢第60-61页

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