| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 论文的主要创新与贡献 | 第9-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-30页 |
| 1.1 引言 | 第14-15页 |
| 1.2 C/C复合材料的氧化和烧蚀 | 第15-17页 |
| 1.2.1 C/C复合材料的氧化 | 第15-16页 |
| 1.2.2 C/C复合材料的烧蚀 | 第16-17页 |
| 1.3 C/C复合材料表面防氧化与抗烧蚀涂层的研究现状 | 第17-26页 |
| 1.3.1 C/C复合材料表面防氧化涂层的研究现状 | 第17-23页 |
| 1.3.1.1 玻璃涂层 | 第17-18页 |
| 1.3.1.2 金属涂层 | 第18-19页 |
| 1.3.1.3 陶瓷涂层 | 第19-23页 |
| 1.3.2 C/C复合材料表面抗烧蚀涂层的研究现状 | 第23-26页 |
| 1.3.2.1 单相陶瓷涂层 | 第24-25页 |
| 1.3.2.2 梯度复合陶瓷涂层 | 第25页 |
| 1.3.2.3 多层复合陶瓷涂层 | 第25-26页 |
| 1.4 选题背景及研究内容 | 第26-30页 |
| 1.4.1 选题背景 | 第26-27页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第27-30页 |
| 第2章 实验和研究方法 | 第30-40页 |
| 2.1 引言 | 第30页 |
| 2.2 实验原材料 | 第30-31页 |
| 2.3 实验设备 | 第31-32页 |
| 2.4 实验方法 | 第32-35页 |
| 2.4.1 CVD法制备多孔SiC纳米线预制体 | 第33页 |
| 2.4.2 原位合成法制备多孔SiC纳米线预制体 | 第33页 |
| 2.4.3 无压包埋浸渗法填充多孔SiC纳米线预制体的孔隙 | 第33-34页 |
| 2.4.4 热压包埋浸渗法填充多孔SiC纳米线预制体的孔隙 | 第34页 |
| 2.4.5 CVD法填充多孔SiC纳米线预制体的孔隙 | 第34-35页 |
| 2.5 性能测试 | 第35-39页 |
| 2.5.1 涂层的裂纹密度测试 | 第35页 |
| 2.5.2 涂层的硬度和弹性模量测试 | 第35-36页 |
| 2.5.3 涂层的断裂韧性测试 | 第36-37页 |
| 2.5.4 涂层的热膨胀系数测试 | 第37页 |
| 2.5.5 结合强度测试 | 第37-38页 |
| 2.5.6 弯曲性能测试 | 第38页 |
| 2.5.7 氧化性能测试 | 第38页 |
| 2.5.8 热震性能测试 | 第38-39页 |
| 2.5.9 热重试验测试 | 第39页 |
| 2.6 材料组成及结构表征 | 第39页 |
| 2.6.1 物相分析 | 第39页 |
| 2.6.2 微观组织形貌观察 | 第39页 |
| 2.7 本章小结 | 第39-40页 |
| 第3章 无压包埋SiC纳米线增韧SiC涂层研究 | 第40-62页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 SiC纳米线预制体的研究 | 第40-45页 |
| 3.2.1 SiC纳米线预制体的制备 | 第40-41页 |
| 3.2.2 SiC纳米线预制体的微观结构 | 第41-43页 |
| 3.2.3 SiC纳米线的生长机理 | 第43-45页 |
| 3.3 SiC纳米线增韧SiC涂层的研究 | 第45-59页 |
| 3.3.1 SiC纳米线增韧SiC涂层的制备 | 第45-46页 |
| 3.3.2 SiC纳米线增韧SiC涂层的微观结构 | 第46-47页 |
| 3.3.3 SiC纳米线增韧SiC涂层的力学和热膨胀性能 | 第47-50页 |
| 3.3.4 SiC纳米线增韧SiC涂层的防氧化性能 | 第50-54页 |
| 3.3.5 SiC纳米线增韧SiC涂层的氧化失效机理 | 第54-56页 |
| 3.3.6 SiC纳米线增韧SiC涂层的增韧机理 | 第56-59页 |
| 3.4 本章小结 | 第59-62页 |
| 第4章 热压包埋SiC纳米线增韧SiC-Si涂层研究 | 第62-84页 |
| 4.1 引言 | 第62页 |
| 4.2 SiC纳米线增韧SiC-Si涂层的研究 | 第62-81页 |
| 4.2.1 SiC纳米线增韧SiC-Si涂层的制备 | 第62-63页 |
| 4.2.2 SiC纳米线预制体的微观结构 | 第63页 |
| 4.2.3 SiC纳米线增韧SiC-Si涂层的微观结构 | 第63-66页 |
| 4.2.4 SiC纳米线增韧SiC-Si涂层的力学性能 | 第66-70页 |
| 4.2.5 SiC纳米线增韧SiC-Si涂层的防氧化性能 | 第70-74页 |
| 4.2.6 SiC纳米线增韧SiC-Si涂层的氧化失效机理 | 第74-77页 |
| 4.2.7 SiC纳米线增韧SiC-Si涂层的强韧化机理 | 第77-79页 |
| 4.2.8 SiC纳米线增韧SiC-Si涂层试样的力学性能 | 第79-81页 |
| 4.3 本章小结 | 第81-84页 |
| 第5章 SiC纳米线增韧SiC/SiC-Si涂层研究 | 第84-108页 |
| 5.1 引言 | 第84-85页 |
| 5.2 SiC内涂层的研究 | 第85-86页 |
| 5.2.1 SiC内涂层的制备 | 第85页 |
| 5.2.2 SiC内涂层的微观结构 | 第85-86页 |
| 5.3 SiC纳米线预制体的研究 | 第86-90页 |
| 5.3.1 SiC纳米线预制体的制备 | 第86页 |
| 5.3.2 SiC纳米线预制体的微观结构 | 第86-89页 |
| 5.3.3 SiC纳米线的生长机理 | 第89-90页 |
| 5.4 SiC纳米线增韧SiC/SiC-Si涂层的研究 | 第90-105页 |
| 5.4.1 SiC纳米线增韧SiC/SiC-Si涂层的制备 | 第90-91页 |
| 5.4.2 SiC纳米线增韧SiC/SiC-Si涂层的微观结构 | 第91-94页 |
| 5.4.3 SiC纳米线增韧SiC/SiC-Si涂层的宽温域防氧化性能 | 第94-101页 |
| 5.4.4 SiC纳米线增韧SiC/SiC-Si涂层的氧化失效机制 | 第101-105页 |
| 5.5 本章小结 | 第105-108页 |
| 第6章 原位合成SiC纳米线增韧SiC-Si/SiC-Si涂层研究 | 第108-128页 |
| 6.1 引言 | 第108-109页 |
| 6.2 SiC-Si内涂层的研究 | 第109-110页 |
| 6.2.1 SiC-Si内涂层的制备 | 第109页 |
| 6.2.2 SiC-Si内涂层的微观结构 | 第109-110页 |
| 6.3 SiC纳米线预制体的研究 | 第110-116页 |
| 6.3.1 SiC纳米线预制体的制备 | 第110页 |
| 6.3.2 SiC纳米线预制体的微观结构 | 第110-113页 |
| 6.3.3 SiC纳米线的生长机理 | 第113-116页 |
| 6.4 SiC纳米线与内涂层之间的界面结合研究 | 第116-121页 |
| 6.4.1 SiC纳米线增强SiC-Si/MAS连接接头的制备 | 第116页 |
| 6.4.2 SiC纳米线增强SiC-Si/MAS连接接头的微观结构 | 第116-118页 |
| 6.4.3 SiC纳米线增强SiC-Si/MAS连接接头的剪切强度 | 第118-119页 |
| 6.4.4 SiC纳米线在界面处的铆钉机制 | 第119-121页 |
| 6.5 SiC纳米线增韧SiC-Si/SiC-Si涂层的研究 | 第121-127页 |
| 6.5.1 SiC纳米线增韧SiC-Si/SiC-Si涂层的制备 | 第121页 |
| 6.5.2 SiC纳米线增韧SiC-Si/SiC-Si涂层的微观结构 | 第121-123页 |
| 6.5.3 SiC纳米线增韧SiC-Si/SiC-Si涂层的宽温域防氧化性能 | 第123-127页 |
| 6.6 本章小结 | 第127-128页 |
| 第7章 竹节状SiC纳米线增韧Hf C涂层研究 | 第128-146页 |
| 7.1 引言 | 第128-129页 |
| 7.2 竹节状SiC纳米线预制体的研究 | 第129-134页 |
| 7.2.1 竹节状SiC纳米线预制体的制备 | 第129页 |
| 7.2.2 竹节状SiC纳米线预制体的微观结构 | 第129-132页 |
| 7.2.3 竹节状SiC纳米线的生长机理 | 第132-134页 |
| 7.3 竹节状SiC纳米线增韧Hf C涂层的研究 | 第134-145页 |
| 7.3.1 竹节状SiC纳米线增韧Hf C涂层的制备 | 第134-135页 |
| 7.3.2 竹节状SiC纳米线增韧Hf C涂层的微观结构 | 第135-136页 |
| 7.3.3 竹节状SiC纳米线增韧Hf C涂层的抗热震性能 | 第136-138页 |
| 7.3.4 竹节状SiC纳米线增韧Hf C涂层的力学性能 | 第138-140页 |
| 7.3.5 竹节状SiC纳米线增韧Hf C涂层的强韧化机理 | 第140-142页 |
| 7.3.6 竹节状SiC纳米线增韧Hf C涂层的界面结合强度 | 第142-145页 |
| 7.4 本章小结 | 第145-146页 |
| 结论 | 第146-148页 |
| 展望 | 第148-150页 |
| 参考文献 | 第150-158页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第158-164页 |
| 致谢 | 第164-165页 |
