| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 石墨烯的发现 | 第11页 |
| 1.2 石墨烯的结构和性质 | 第11-15页 |
| 1.3 石墨烯的制备方法 | 第15-18页 |
| 1.3.1 微机械剥离法 | 第15-16页 |
| 1.3.2 化学气相沉积(CVD)法 | 第16-17页 |
| 1.3.3 氧化还原法 | 第17页 |
| 1.3.4 其他方法 | 第17-18页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第18-23页 |
| 1.4.1 化学掺杂石墨烯太阳能电池 | 第19-20页 |
| 1.4.2 回路循环增益石墨烯光电探测器 | 第20-21页 |
| 1.4.3 等离子体增强的石墨烯光电探测器 | 第21-23页 |
| 1.4.4 共振腔增强的石墨烯光探测器 | 第23页 |
| 1.5 本文的创新点和主要内容 | 第23-25页 |
| 2 石墨烯硅光电二极管的研究 | 第25-47页 |
| 2.1 Gr/Si光电二极管的工作原理 | 第25-27页 |
| 2.2 Gr/Si光电二极管的制备过程 | 第27-32页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第27页 |
| 2.2.2 制备仪器设备 | 第27-30页 |
| 2.2.3 工艺流程 | 第30-32页 |
| 2.3 材料和器件表征 | 第32-35页 |
| 2.4 石墨烯硅光电二极管的性能和分析 | 第35-45页 |
| 2.4.1 Gr/Si肖特基结参数 | 第35-37页 |
| 2.4.2 光强、偏压对Gr/Si电流密度和响应度的影响 | 第37-38页 |
| 2.4.3 Gr/Si的光电转换效率 | 第38-40页 |
| 2.4.4 Gr/Si的响应速度 | 第40-42页 |
| 2.4.5 Gr/Si的光电增益 | 第42-45页 |
| 2.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 3 硅量子点/石墨烯/硅异质结的研究 | 第47-70页 |
| 3.1 引言 | 第47页 |
| 3.2 SiQDs/Gr/Si异质结的制备和表征 | 第47-54页 |
| 3.2.1 SiQDs制备过程 | 第47-48页 |
| 3.2.2 SiQDs结构表征和性能 | 第48-50页 |
| 3.2.3 SiQDs/Gr/Si制备工艺 | 第50-51页 |
| 3.2.4 SiQDs/Gr/Si表征 | 第51-54页 |
| 3.3 SiQDS/Gr/Si的性能 | 第54-61页 |
| 3.3.1 SiQDs膜厚与响应度的关系 | 第54-55页 |
| 3.3.2 器件的光电转换效率 | 第55-57页 |
| 3.3.3 器件的响应速度 | 第57-60页 |
| 3.3.4 器件的噪声和探测度 | 第60-61页 |
| 3.4 SiQDs作用机理分析 | 第61-68页 |
| 3.5 本章小结 | 第68-70页 |
| 4 总结和展望 | 第70-73页 |
| 参考文献 | 第73-81页 |
| 攻读硕士学位期间主要的研究成果 | 第81页 |